一种最小曝光能量的测量方法技术

本发明专利技术提供一种最小曝光能量的测量方法，测量方法包括：步骤S1、提供一晶圆，于晶圆上涂覆一层光阻层；步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个区域分别对应一唯一的时间段；步骤S3、利用显影工艺，对经过曝光的光阻层进行显影，以形成对应每个区域的图形；步骤S4、利用显影后检测工艺，获取对应每个时间段的图形，并处理得到每个时间段和相应的图形的对应关系及最小曝光能量。本发明专利技术的有益效果：无需曝光机支持即可得到光刻胶的最小曝光能量，根据得出的最小曝光能量能够优化硅片边缘曝光制程的照明条件，从而避免光刻胶残留的产生。

A method of measuring minimum exposure energy

The invention provides a measuring method for minimum exposure energy measurement method, which comprises the following steps: S1, providing a wafer, the wafer is coated with a layer of photoresist layer; step S2, a crystal wafer edge exposure device, according to multiple time preset respectively on a number of regional preset photoresist layer respectively. The exposure time, each region corresponds to a single step S3, respectively; the development process of the photoresist layer is exposed is developed, to form corresponding to each region of the graph; detection process steps by S4 after development, get corresponding to each time graphics, and obtained corresponding relation each time period and the corresponding figure and minimum exposure energy. The invention has the beneficial effect: without exposure machine support, the minimum exposure energy of the photoresist can be obtained. According to the minimum exposure energy, the illumination condition of the wafer edge exposure process can be optimized, so as to avoid the occurrence of photoresist residue.

【技术实现步骤摘要】
一种最小曝光能量的测量方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种最小曝光能量的测量方法。
技术介绍
由于工艺局限，晶片边缘往往缺陷很高，在晶片边缘的图形很容易形成缺陷源，因此在涂胶后需要去除晶片边缘特定宽度的胶。晶圆晶边曝光(Waferedgeexposure，WEE)其过程是将圆片边缘特定宽度区域内的光刻胶采用曝光显影的方式去除，并且各个光刻工艺层次的WEE的宽度是不一致的，WEE的准确度直接影响到圆片上的有效面积，即圆片上实际可产出的管芯数目，因此需要准确控制。涉及半导体制造的多项工艺中，光刻工艺的基本功能是将光罩上的图形完整的转移到光刻胶上。因此光刻胶的感光性能是一个重要的监测项目，其中包括光阻图形能曝开的最小曝光能量Eth。一般而言，这项性能与光刻胶配方中的树脂种类、感光剂的配方及组分等参数有密切联系。在光刻工艺中，通常使用Matrix实验在曝光机做能量分组实验方式得出最小曝光能量Eth。现有的能量分组实验存在两个问题，一时必须要有曝光机支持；二是光刻工艺中的WEE制程所用的晶圆晶边曝光装置的曝光光源与曝光机的曝光光源不同，因此曝光机所得出的数据无法正常应用在WEE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种最小曝光能量的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：步骤S1、提供一晶圆，于所述晶圆上涂覆一层光阻层；步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对所述光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个所述区域分别对应一唯一的所述时间段；步骤S3、利用显影工艺，对经过曝光的所述光阻层进行显影，以形成对应每个所述区域的所述图形；步骤S4、利用显影后检测工艺，获取对应每个所述时间段的所述图形，并处理得到每个所述时间段和相应的所述图形的对应关系及最小曝光能量。

【技术特征摘要】
1.一种最小曝光能量的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：步骤S1、提供一晶圆，于所述晶圆上涂覆一层光阻层；步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对所述光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个所述区域分别对应一唯一的所述时间段；步骤S3、利用显影工艺，对经过曝光的所述光阻层进行显影，以形成对应每个所述区域的所述图形；步骤S4、利用显影后检测工艺，获取对应每个所述时间段的所述图形，并处理得到每个所述时间段和相应的所述图形的对应关系及最小曝光能量。2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述图形为条状。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘智敏，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42