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本发明提供一种最小曝光能量的测量方法，测量方法包括：步骤S1、提供一晶圆，于晶圆上涂覆一层光阻层；步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个区域分别对应一唯一的时间段；步骤S3、利用...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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