一种反向开关晶体管触发电路制造技术
A reverse switch transistor trigger circuit
The utility model provides a reverse switch transistor trigger circuit, which belongs to the field of semiconductor switch technology. It solves the technical problems such as the complex structure of the current semiconductor switch and so on. A reverse switch transistor trigger circuit includes a charging circuit, a discharge main circuit and a RSD trigger circuit. The charging circuit is parallel to the discharge main circuit, and the discharge main circuit is parallel to the RSD trigger circuit, and the charging circuit comprises a charging power supply. The utility model has the advantages of simple structure and the like.
【技术实现步骤摘要】
一种反向开关晶体管触发电路
本技术属于半导体开关
，涉及一种反向开关晶体管触发电路。
技术介绍
20世纪80年代，前苏联院士I.V.Grekhov技术的反向开关晶体管(ReverselySwitchedDynistor,RSD)可以实现高di/dt大电流微秒开通。基于RSD的重复频率脉冲功率电源在环境保护、食品保鲜、军事、工业加工等领域有着广泛的应用前景。RSD器件是一种由数万个晶闸管与晶体管元胞相间并联排列的器件，没有普通晶闸管的控制极，采用可控等离子体层触发方式，反向注入触发电流，在整个芯片面积上实现了同步均匀导通，从器件原理上消除了普通晶闸管器件存在的开通局部化现象，可以实现高di/dt微秒开通，同时在短时间内通过很大的电流。基于RSD的高功率脉冲放电系统的总体框图如图1所示，分为充电电路、主电路(主回路)、RSD触发电路及控制电路等四部分。充电电路、主电路(主回路)和RSD触发电路依次串联连接。主电路的主要功能是向负载释放脉冲大电流，是系统的核心，其主要元器件包括放电电容、磁开关(可饱和电感)、半导体功率开关-RSD及负载。充电电路的主要功能是将主电...
【技术保护点】
一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述触发电路包括充电电路、放电主电路和RSD触发电路；所述充电电路与放电主电路并联，所述放电主电路与所述RSD触发电路并联，所述充电电路包括充电电源。
【技术特征摘要】
1.一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述触发电路包括充电电路、放电主电路和RSD触发电路；所述充电电路与放电主电路并联，所述放电主电路与所述RSD触发电路并联，所述充电电路包括充电电源。2.根据权利要求1所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述放电主电路包括第一放电电容C0、第一磁开关L、RSD开关、负载Z0；所述第一放电电容C0、第一磁开关L、RSD开关、负载Z0依次串联；所述充电电源的输出正极连接第一放电电容C0的正极，充电电源的输出负极连接第一放电电容C0的负极。3.根据权利要求2所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述RSD触发电路包括第一深能级晶体管(Deepleveldynistor，DLD)的开关K21、第二深能级晶体管的开关K22、第二磁开关L21、第三磁开关L22、第二放电电容CC和脉冲电源；所述第二磁开关L21和第三磁开关L22连接，第三磁开关L22和第一深能级晶体管的开关K21串联，第二磁开关L21和第二深能级晶体管的开关K22的连接公共点与第二放电电容CC的正极连接，第三磁开关L22和第一深能级晶体管的开关K21的连接公共点与第二放电电容CC的负极连接，第一深能级晶体管的开...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭亚斌，雷涛，卢社阶，陈小玲，
申请(专利权)人：湖北科技学院，
类型：新型
国别省市：湖北,42
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