一种晶硅太阳电池石墨舟及其饱和处理方法技术

技术编号:17365037 阅读:342 留言:0更新日期:2018-02-28 16:07
本发明专利技术涉及一种晶硅太阳电池石墨舟及其饱和处理方法,通过饱和处理工艺使得述SiNx膜和晶硅太阳电池石墨舟之间还镀有一层SiC膜,可以起到保护石墨舟的作用,增加石墨舟的使用寿命,使石墨舟的使用寿命延长2年,在SiC膜基础上镀一层SiNx可有效的提高镀膜的均匀性,降低不良片的返工率,节省成本。

A crystalline silicon solar cell graphite boat and its saturation treatment

The invention relates to a crystal silicon solar cell and its processing method of saturated graphite boat, through the process of the saturation of the SiNx film and the crystalline silicon solar cell graphite boat is also plated with a layer of SiC film, can play a protective role of graphite boat, increase the service life of Shi Mozhou, the graphite boat and prolongs the service life of 2 years in SiC, on the basis of film plating a layer of SiNx can effectively improve the uniformity of coating film, reduce the adverse rework rate, cost savings.

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳电池石墨舟及其饱和处理方法
本专利技术涉及一种太阳电池石墨舟及其饱和处理方法,属于太阳电池制造中的镀膜制备方法。
技术介绍
晶硅太阳电池中镀膜工艺是电池制备工艺中不可或缺的一部分,PECVD方法制备的氮化硅膜均匀沉积的条件是使石墨舟内壁及硅片表面沉积速率一致,而决定该速率的主要有温度、电场、气体以及石墨舟内壁氮化硅膜的厚度以及表面的平坦度等表面状态条件。石墨舟饱和工艺的作用是在石墨舟内壁上沉积一层氮化硅膜,从而使得内壁各处均呈氮化硅状态,这样会使石墨舟内部各处的氮化硅沉积速率趋于一致。石墨舟使用前期,由于舟的饱和程度不够易引起色差,增加返工的比例。使用中期,舟的饱和程度足够且内壁上沉积的氮化硅膜不是很厚,使得镀膜的均匀性表现良好,是石墨舟的最佳状态。而石墨舟使用后期,由于内壁上沉积的氮化硅很厚,会导致局部氮化硅膜脱落,引起舟的表面状态发生变化,并且氮化硅膜很厚会引起舟的导热性能发生变化,局部过厚会引起色差偏的产生。因此石墨舟饱和程度不够和石墨舟使用次数太多都会使镀膜的均匀性变差。石墨舟使用次数太多会使内壁沉积过厚的氮化硅膜,就需要将石墨舟内壁表面的氮化硅膜洗掉,重新进行饱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶硅太阳电池石墨舟,所述晶硅太阳电池石墨舟上镀有一层SiNx膜;其特征在于,所述SiNx膜和晶硅太阳电池石墨舟之间还镀有一层SiC膜。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳电池石墨舟,所述晶硅太阳电池石墨舟上镀有一层SiNx膜;其特征在于,所述SiNx膜和晶硅太阳电池石墨舟之间还镀有一层SiC膜。2.一种实现如权利要求1所述的一种晶硅太阳电池石墨舟的饱和处理方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:设定炉管内环境参数,制备SiC膜,包括以下子步骤:子步骤一:使用浓度为15%的HF酸对晶硅太阳电池石墨舟进行清洗后,在烘干箱中进行烘干;子步骤二:将烘干后的晶硅太阳电池石墨舟置于PECVD设备的炉管中,其中将炉管的温度调为400~500℃,PECVD设备的射频功率调为6000~8000Watt、射频占空比为4:40,将炉管内环境参数设定好后,向其通入流量比为40:3:2的氢气、硅烷和甲烷,气体压力为1500~...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑新霞豆维江方霆
申请(专利权)人:西安黄河光伏科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:陕西,61

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