一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法技术

本发明专利技术公开了一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法。在氮化铝PVT生长过程中添加高纯氢气或高纯氨气，高纯氢气占充入气体总量的0.1%‑30%；高纯氨气占总占充入气体总量的0.1%‑20%。添加一定比例的高纯氢气或高纯氨气，作为氮化铝PVT生长的辅助气体，在1800℃以上高温生成AlH等气体分子将加速氮化铝PVT生长过程。通入辅助气体后，在工艺上将允许使用更低的生长温度进行氮化铝PVT生长。由于添加的高纯氢气或高纯氨气可适当调低生长温度30‑150℃，从而使得氮化铝更适合c面生长并得到低本征缺陷的晶体。本方法可有效提高氮化铝生长速度，降低氮化铝晶体生长温度，降低氮化铝晶体内的本征缺陷密度。

【技术实现步骤摘要】
一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法
本专利技术涉及氮化铝PVT（物理气相传输）晶体生长技术，特别是涉及一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法。
技术介绍
氮化铝作为直接带隙半导体材料，具有超宽的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强（11.7×106V•cm-1）、极高的热导率（实测值2.85W•cm-1•K-1）、优良的热稳定性和耐腐蚀性、良好的光学性质和力学性质，适宜作为射频（微波功率）器件、大功率器件以及超短波光电子器件。氮化铝材料具有热激发弱、直接带隙、吸收边（200nm）在深紫外波段的特点。在作为AlGaN基和GaN基外延材料的衬底时，还具有其他衬底无法比拟的优势，氮化铝与AlGaN属同族材料，晶格失配小，两者之间的晶格失配最大为2.4％。氮化铝与AlGaN的热膨胀系数最为接近，在器件制备的生长和冷却过程中，可以避免外延结构的开裂，大幅度降低为错密度（2个数量级以上）。此外，氮化铝可与GaN形成连续固溶体AlxGa1-xN，禁带宽度在3.39~6.2，且连续可调，可发射365~200nm波长的紫外光。作为下一代半导体材料，氮化铝材料以其优异的性能，将在光电子和微电子领域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法，其特征在于：在氮化铝PVT生长过程中添加高纯氢气或高纯氨气以提高氮化铝的生长速率。

【技术特征摘要】
1.一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法，其特征在于：在氮化铝PVT生长过程中添加高纯氢气或高纯氨气以提高氮化铝的生长速率。2.根据权利要求1所述的一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法，其特征在于：添加的高纯氢气占总气氛比率选择范围是0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员：史月增，金雷，程红娟，赖占平，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12