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本发明公开了一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法。在氮化铝PVT生长过程中添加高纯氢气或高纯氨气，高纯氢气占充入气体总量的0.1%‑30%；高纯氨气占总占充入气体总量的0.1%‑20%。添加一定比例的高纯氢气或高纯氨气，作为氮化铝PVT生...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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