半导体装置制造方法及图纸

在SJ结构的半导体装置中，将本体区域和电流检测区域进行分离并抑制耐压下降。本发明专利技术提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；包括形成在半导体基板的内部的1个以上的工作用单元的本体区域；包括形成在半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元的电流检测区域；以及在半导体基板的内部设置在本体区域和电流检测区域之间，包括耐压结构部的中间区域，在本体区域、电流检测区域和中间区域中，使第1导电型的管柱和第2导电型的管柱以等间隔交替地配置。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，在IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)等半导体装置中，已知具有作为元件进行驱动的本体区域和用于检测电流的电流检测区域的结构(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2010-219258号公报
技术实现思路
技术问题存在将电流检测区域由场板等耐压结构包围的情况。在具有耐压结构的装置中，若在本体区域和电流检测区域形成超结结构，则存在超结结构的p型和n型的杂质的电荷平衡被破坏而使耐压下降的情况。技术方案本专利技术的一个方面，提供具备半导体基板的半导体装置。半导体装置可以具备包括形成在半导体基板的内部的1个以上的工作用单元的本体区域。半导体装置可以具备包括形成在半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元的电流检测区域。半导体装置可以具备在半导体基板的内部设置在本体区域和电流检测区域之间，并且包括耐压结构部的中间区域。在本体区域、电流检测区域和中间区域中，第1导电型的管柱和第2导电型的管柱可以以等间隔交替配置。中间区域可以具有形成在半导体基板的上方的场板。中间区域可以在与本体区域相邻的区域和与电流检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；本体区域，其包括形成在所述半导体基板的内部的1个以上的工作用单元；电流检测区域，其包括形成在所述半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元；以及中间区域，其在所述半导体基板的内部设置在所述本体区域和所述电流检测区域之间，并且包括耐压结构部，在所述本体区域、所述电流检测区域和所述中间区域，第1导电型的管柱和第2导电型的管柱以等间隔交替配置。

【技术特征摘要】
2016.08.10 JP 2016-1573281.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；本体区域，其包括形成在所述半导体基板的内部的1个以上的工作用单元；电流检测区域，其包括形成在所述半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元；以及中间区域，其在所述半导体基板的内部设置在所述本体区域和所述电流检测区域之间，并且包括耐压结构部，在所述本体区域、所述电流检测区域和所述中间区域，第1导电型的管柱和第2导电型的管柱以等间隔交替配置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述中间区域具有形成在所述半导体基板的上方的场板。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述中间区域在与所述本体区域相邻的区域和与所述电流检测区域相邻的区域形成有二极管部。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的内部形成有：第1导电型的基区；以及形成在所述基区的下方的第2导电型的漂移区，所述本体区域和所述电流检测区域具有：多个沟槽部，所述多个沟槽部形成为从所述半导体基板的上表面起延伸到所述基区的下侧，并且以相同的间隔配置；以及第2导电型的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村武义，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP