The invention discloses a method for preparing ZnO/NiO film material, which comprises the following steps: in three electrode system, the working electrode and counter electrode, reference electrode in the growth solution, obtained Zn/Ni composites by potentiostatic deposition, and calcined in air and then got the ZnO/NiO thin film materials. The invention can obtain ZnO/NiO material only by constant potential deposition and high temperature calcination, and has simple operation and stable performance, and has wide application prospects in electronic devices such as solar cells.
【技术实现步骤摘要】
一种ZnO/NiO薄膜材料的制备方法
本专利技术涉及一种ZnO/NiO薄膜材料的制备方法，尤其涉及一种通过电沉积生长Zn/Ni合金并高温氧化成ZnO/NiO薄膜材料的方法。
技术介绍
近年来，宽禁带半导体材料ZnO的研究已经引起人们广泛的关注。ZnO是一种新型的直接宽带隙Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV，且激子束缚能高达60meV，比室温热离化能26meV大很多，因而理论上会在室温下获得高效的紫外激子发光和激光，是制作短波长发光器件以及紫外探测器的理想材料。此外，ZnO具有高熔点（1975℃），高热稳定性及化学稳定性等优点；另外，ZnO原材料资源丰富、价格低廉，无毒无污染，制备工艺简单，因此，ZnO具有很大的潜在商用价值。作为短波长发光器件和紫外探测器的一种全新的候选材料，ZnO已经成为当今半导体材料与器件研究中新的热点。NiO是一种用途广泛的半导体材料，通常以绿色粉末状存在，具有立方晶体结构。在功能材料中，NiO薄膜具备了许多优异的性能，在热敏元件、气敏元件、光探测器等电子元件方面具有良好的应用前景。NiO薄膜的制备工艺有很多种，主要有脉冲...
【技术保护点】
一种ZnO/NiO薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：在三电极系统中，将工作电极、对电极、参比电极一起放入生长溶液中，通过恒电位沉积获得Zn/Ni复合材料，并在空气中煅烧进而获得ZnO/NiO薄膜材料。
【技术特征摘要】
1.一种ZnO/NiO薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：在三电极系统中，将工作电极、对电极、参比电极一起放入生长溶液中，通过恒电位沉积获得Zn/Ni复合材料，并在空气中煅烧进而获得ZnO/NiO薄膜材料。2.按权利要求1所述的利用工作电极，其特征在于：一切具有电荷收集能力的集流体。3.按权利要求1所述的恒电位沉积，其特征在于：沉积电压...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。