The present invention relates to a rectangular grid control U shaped channel bidirectional switch tunneling transistor and its manufacturing method, the structure characteristics of the device of the invention has a rectangular grid and symmetrical, with strong gate control ability and can be adjusted by the source drain electrode voltage control of second kinds of interchangeable heavy impurity doped source and drain region as interchangeable source area or the drain region, change the tunneling current direction. The invention has the advantages of low static power and reverse leakage current, strong gate control ability, low threshold swing and can realize bidirectional switch function. Compared to the common MOSFETs devices, using the tunneling effect to achieve better switching characteristics; compared to the common tunneling field effect transistor, the invention has the symmetrical switching characteristics of ordinary tunneling field effect transistor do not have the source drain interchangeable, so it is suitable for popularization and application.
【技术实现步骤摘要】
一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管及其制造方法
本专利技术涉及超大规模集成电路制造领域,具体涉及一种适用于低功耗集成电路制造的具有低泄漏电流的矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管及其制造方法。
技术介绍
集成电路的基本单元MOSFETs根据摩尔定律的要求,尺寸会变得越来越小,随之而来的不仅仅是在制造工艺上的难度加深,各种不良效应也越发的凸显。如今集成电路设计所采用的MOSFETs型器件由于其工作时自身产生电流的物理机制的限制,其亚阈值摆幅始终不能低于60mV/dec。而普通隧穿场效应晶体管作为开关型器件使用时,利用载流子在半导体能带之间发生隧穿效应作为电流的导通机制,其亚阈值摆幅要明显优于MOSFETs型器件的60mv/dec极限。然而,普通隧穿场效应晶体管的源区和漏区采用不同导电类型的杂质,这种非对称结构特征导致其无法在功能上完全取代具有对称结构特征的MOSFETs型器件。以N型隧穿场效应晶体管为例,如果将其源极和漏极互换,即漏极为低电位,源极为高电位,则隧穿场效应晶体管将始终处于导通状态,导通电流的大小不再能够依靠栅电极而得到良好控制和调节,这使得整个隧穿场效应晶体管的开关特性失效。
技术实现思路
专利技术目的为了有效结合和利用MOSFETs型器件源极、漏极可互换和普通隧穿场效应晶体管低亚阈值摆幅摆幅的优点,解决MOSFETs型器件亚阈值摆幅无法降低和普通隧穿场效应晶体管只能作为单向开关的不足,本专利技术提出一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管及其制造方法。该晶体管具有逻辑功能与当前基于MOSFETs集成电路完全兼容的优势特点,源漏两端结构的对称性使其 ...
【技术保护点】
一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管,包含SOI晶圆的硅衬底(12),其特征在于:SOI晶圆的硅衬底(12)上方为SOI晶圆的衬底绝缘层(11),SOI晶圆的衬底绝缘层(11)的上方为单晶硅薄膜(1)、第一类杂质重掺杂区(2)和绝缘介质阻挡层(13)的部分区域;其中,单晶硅薄膜(1)为杂质浓度低于10
【技术特征摘要】
1.一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管,包含SOI晶圆的硅衬底(12),其特征在于:SOI晶圆的硅衬底(12)上方为SOI晶圆的衬底绝缘层(11),SOI晶圆的衬底绝缘层(11)的上方为单晶硅薄膜(1)、第一类杂质重掺杂区(2)和绝缘介质阻挡层(13)的部分区域;其中,单晶硅薄膜(1)为杂质浓度低于1016cm-3的单晶硅半导体材料;第一类杂质重掺杂区(2)位于单晶硅薄膜(1)底部的中间部分,其掺杂的杂质导电类型决定器件的导通类型,其内部不受栅电极(8)场效应影响控制,为杂质浓度不低于1017cm-3的半导体材料;绝缘介质阻挡层(13)的部分区域对单晶硅薄膜(1)所形成的U形凹槽结构的下方部分的外侧表面形成四面围绕,绝缘介质阻挡层(13)与SOI晶圆的衬底绝缘层(11)上表面接触的部分区域的上表面与栅电极(8)和栅电极绝缘层(7)相互接触;栅电极绝缘层(7)为绝缘体材料,位于单晶硅薄膜(1)的外侧表面的上方部分,且栅电极绝缘层(7)的内侧表面与单晶硅薄膜(1)所形成的U形凹槽结构的两侧垂直部分的前后和左右两侧的外侧表面的上方部分相互接触,栅电极绝缘层(7)的内侧表面和夹在单晶硅薄膜(1)所形成的U形凹槽结构内部的绝缘介质阻挡层(13)的前后外侧表面相互接触,栅电极绝缘层(7)对单晶硅薄膜(1)的外侧表面上方部分形成四面围绕;栅电极(8)由金属材料或多晶硅材料构成,与栅电极绝缘层(7)的外侧表面相互接触,并对栅电极绝缘层(7)形成四面围绕,俯视观看呈现矩形结构特征,栅电极(8)对单晶硅薄膜(1)所形成的U形凹槽结构的两侧垂直部分的上方部分,即对源漏可互换本征区a(3)和源漏可互换本征区b(4)具有明显的场效应控制作用;栅电极绝缘层(7)在栅电极(8)和单晶硅薄膜(1)之间形成绝缘阻挡;栅电极(8)仅对源漏可互换本征区a(3)和源漏可互换本征区b(4)有明显场效应控制作用,而对单晶硅薄膜(1)的其它区域和位于单晶硅薄膜(1)底部中间部分的第一类杂质重掺杂区(2)无明显控制作用;第二类杂质重掺杂源漏可互换区a(5)和第二类杂质重掺杂源漏可互换区b(6)分别通过对单晶硅薄膜(1)所形成的U形凹槽结构的两侧垂直部分的上方部分掺杂形成,其中第二类杂质重掺杂源漏可互换区a(5)的外侧与源漏可互换本征区a(3)相互接触,并被其三面围绕;第二类杂质重掺杂源漏可互换区b(6)的外侧与源漏可互换本征区b(4)相互接触,并被其三面围绕;单晶硅薄膜(1)、第一类杂质重掺杂区(2)、源漏可互换本征区a(3)、源漏可互换本征区b(4)、第二类杂质重掺杂源漏可互换区a(5)和第二类杂质重掺杂源漏可互换区b(6)共同组成了一个凹槽结构;源漏可互换电极a(9)由金属材料构成,位于第二类杂质重掺杂源漏可互换区a(5)的上方;源漏可互换电极b(10)也由金属材料构成,位于第二类杂质...
【专利技术属性】
技术研发人员:靳晓诗,高云翔,刘溪,
申请(专利权)人:沈阳工业大学,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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