The invention discloses a manufacturing method of an array substrate, an array substrate and a reflective liquid crystal display, which belongs to the field of display technology. The method includes: forming a pixel electrode film on a substrate, the pixel electrode film includes a metal film and a protective film sequentially superimposed on the substrate on the substrate, the protective film is greater than the degree of anisotropy of metal film anisotropy; on the pixel electrode film performs a composition in the process, forming a pixel electrode protective layer pattern; removing the protection layer pattern to form the pixel electrode. Because the anisotropy of the protective film in the pixel electrode film is larger than that of the metal film, the etching error of the pixel electrode is smaller, which effectively improves the reflectivity of the reflective liquid crystal display. The invention is used in reflective liquid crystal display.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法、阵列基板及反射式液晶显示器
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及反射式液晶显示器。
技术介绍
根据所使用光源的类型和光源的设置方式,液晶显示器可分为透射式液晶显示器、半透射式液晶显示器和反射式液晶显示器。就反射式液晶显示器而言,其通过反射环境光,或者反射设置于显示面板前方的光源发出的光线来显示画面。该反射式液晶显示器可以包括:阵列基板,请参考图1-1,图1-1是现有技术提供的一种反射式液晶显示器的阵列基板的制造过程中的结构示意图,该阵列基板可以包括:在衬底基板00上依次设置的栅极图形01、栅绝缘层02、有源层图形03、源漏极图形04、钝化层05、平坦层06和像素电极07,该像素电极07是由金属材料制成的,该阵列基板中的像素电极07可以对光线进行反射。如图1所示,在对平坦层06上的金属薄膜执行一次构图工艺形成像素电极07的过程中,需要先在金属薄膜上形成光刻胶薄膜,并对该光刻胶薄膜进行曝光处理和显影处理以形成光刻胶图形08,再对金属薄膜进行刻蚀处理后,可以形成带有光刻胶图形08的像素电极07,最后剥离光刻胶图形08 ...
【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上形成像素电极薄膜,所述像素电极薄膜包括:在所述衬底基板上依次叠加的金属薄膜和保护薄膜,所述保护薄膜的各向异性度大于所述金属薄膜的各向异性度;对所述像素电极薄膜执行一次构图工艺,以形成带有保护层图形的像素电极;去除所述保护层图形,以形成所述像素电极。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上形成像素电极薄膜,所述像素电极薄膜包括:在所述衬底基板上依次叠加的金属薄膜和保护薄膜,所述保护薄膜的各向异性度大于所述金属薄膜的各向异性度;对所述像素电极薄膜执行一次构图工艺,以形成带有保护层图形的像素电极;去除所述保护层图形,以形成所述像素电极。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述像素电极薄膜执行一次构图工艺,以形成带有保护层图形的像素电极,包括:在所述像素电极薄膜上形成光刻胶薄膜;对所述光刻胶薄膜进行曝光处理和显影处理,以形成带有光刻胶图形的像素电极薄膜;对所述带有光刻胶图形的像素电极薄膜进行刻蚀处理,以形成带有所述光刻胶图形和所述保护层图形的像素电极;去除所述光刻胶图形,以形成带有所述保护层图形的像素电极。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述带有光刻胶图形的像素电极薄膜进行刻蚀处理,以形成带有所述光刻胶图形和保护层图形的像素电极,包括:对所述带有光刻胶图形的像素电极薄膜进行第一刻蚀处理,以形成带有所述光刻胶图形和所述保护层图形的金属薄膜;对...
【专利技术属性】
技术研发人员:李小龙,张小祥,郭会斌,刘明悬,徐文清,吴祖谋,宋勇志,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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