一种阵列传感器制造技术

本发明专利技术涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种具有共用结构的半导体有源阵列传感器，包括多个在垂直与水平方向上排列成为二维行列分布的光电传感器；其中，光电传感器包括两个二极管、四个N晶体管、二个P晶体管与二个电阻。优点：该阵列传感器解决了电子标签、无人车、无人机等基于电磁介质传播领域的易干扰、功耗大的问题。

An array sensor

The present invention relates to the technical field of semiconductor integrated circuit, especially relates to a semiconductor active sensor array has a common structure that includes a plurality of vertical and horizontal direction are arranged in two-dimensional photoelectric sensor ranks distribution; wherein, the photoelectric sensor comprises two diodes and four N transistors and two P transistors and two resistors. Advantages: the array sensor solves the problems of easy interference and power consumption in the field of electromagnetic media transmission, such as electronic labels, unmanned vehicles, UAV and UAV.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列传感器
本专利技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种具有共用结构的半导体有源阵列传感器。
技术介绍
射频识别RFID系统能够在单个标签识别单元检测出来，所述的每个单元在很大范围内可以令人满意地读取各种参数，但例如温度与湿度、电磁干扰EMI、读取器灵敏度、材料性质，以及其他因此影响，降低了传感器的可靠性。好的射频识别RFID集成电路是对制造工艺与电路设计的挑战，因为射频识别RFID集成电路需要极低的功耗、较大的动态范围等。射频识别RFID的远距离读写需要大幅提高读写器的发射功率，导致电磁干扰增大，成本增加，可靠性降低。传统的无人车、无人机等无人控制自动化智能物联网设备应用雷达声波传感器，用以确定与周围物体的间距，一种方法是雷达自身全方位实现扫描，另一种方法是采用相控阵雷达，这两种方案需要增加复杂的电机设备从而产生额外的负载。基于所确定的间距可以控制无人车、无人机的不同的舒适功能。例如可以将无人车、无人机的速度自动地控制到一预先确定的值上，其中，经由一借助于雷达传感器的向前的间距测量保证，不低于与一在前行驶的无人车、无人机的预设的安全间距。雷达传感器的其它应用包括一在迅速靠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有共用结构的半导体有源阵列传感器，所述阵列传感器包括多个在垂直与水平方向上排列成为二维行列分布的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括：两个二极管、四个N晶体管、二个P晶体管与二个电阻；第一二极管（D1）的正电极与第一N晶体管（N1）的漏极、栅极连接，负电极连接至电源电压VDD；所述第一N晶体管（N1）的栅极与第二N晶体管（N2）的栅极之间串联一负反馈的电压跟随器；所述第一N晶体管（N1）的源极与所述第二N晶体管（N2）的源极均接地；第一P晶体管（P1）的漏极与第四N晶体管（N4）的源极、第五N晶体管（N5）的源极、栅极连接，并通过第一电阻（R1）连接至电源电压VDD；第二P晶体管（...

【技术特征摘要】
1.一种具有共用结构的半导体有源阵列传感器，所述阵列传感器包括多个在垂直与水平方向上排列成为二维行列分布的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括：两个二极管、四个N晶体管、二个P晶体管与二个电阻；第一二极管（D1）的正电极与第一N晶体管（N1）的漏极、栅极连接，负电极连接至电源电压VDD；所述第一N晶体管（N1）的栅极与第二N晶体管（N2）的栅极之间串联一负反馈的电压跟随器；所述第一N晶体管（N1）的源极与所述第二N晶体管（N2）的源极均接地；第一P晶体管（P1）的漏极与第四N晶体管（N4）的源极、第五N晶体管（N5）的源极、栅极连接，并通过第一电阻（R1）连接至电源电压VDD；第二P晶体管（P2）的漏极与第四N晶体管（N4）的漏极、第五N晶体管（N5）的漏极、栅极连接，并通过第二电阻（R2）连接至电源电压VDD；所述第一P晶体管（P1）的漏极与所述第二N晶体管（N2）的漏极连接；所述第二P晶体管（P2）的栅极、漏极并接，并同时连接至所述第一P晶体管（P1）的栅极、第二二极管（D2）的负电极；所述第二二极管（D2）的正电极接地。2.根据权利要求1所述的阵列传感器，其特征在于，还至少包括一反相电路，所述反相电路包括第三P晶体管（P3）、第三N晶体管（N3），所述第三P晶体管（P3）与第三N晶体管（N3）在电源端与地之间串联连接，所述第三P晶体管（P3）的源极接到电源端；所述第三N晶体管（N3）的栅极与第三P晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜凯铭，
申请(专利权)人：南京科兴新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32