显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:17251271 阅读:17 留言:0更新日期:2018-02-11 10:10
本发明专利技术公开了一种显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置,属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上方设置掩模板,掩模板包括遮挡区域,遮挡区域在衬底基板上的正投影与衬底基板的翻折区域存在重叠;利用掩模板在衬底基板上形成具有开口的无机层图案,开口在衬底基板上的正投影与衬底基板的翻折区域存在重叠。本发明专利技术通过掩模板直接遮挡衬底基板的翻折区域,再利用掩模板在衬底基板上形成无机层图案,由于掩模板的遮挡,无机层图案在翻折区域会存在一个开口,无需构图工艺即可去除无机层位于翻折区域的部分。解决了相关技术中过程较复杂,且耗时较长的问题。达到了能够方便快捷的去除无机层位于翻折区域的部分的效果。

【技术实现步骤摘要】
显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
窄边框的显示面板具有显示区域比例(显示面板的显示面中显示图像的区域与显示面的总面积的比例)大、显示效果好和能够提供给观众沉浸式的观看体验等优点。如图1所示,为了实现显示面板的窄边框,需要将显示面板位于外围区(pad区)12的部分从翻折区域11(翻折区域为预先设置的用于进行翻折的区域)翻折至显示面板10的非显示面(显示面A的另一面)。但由于显示面板10的显示基板中包括硬度较大的无机层,强行翻折可能损坏显示面板,因而在进行翻折操作之前,先将翻折区域11中的无机层去除。目前的一种显示基板的制造方法中,首先以化学气相沉积(英文:ChemicalVaporDeposition;简称:CVD)的方式形成无机层(形成无机层的过程可以包括:由喷口喷出反应气体,该反应气体在衬底基板上形成无机层),之后通过构图工艺去除该无机层位于翻折区域的部分,以形成无机层图案。依照上述方式能够去除衬底基板上每个无机层位于翻折区域的部分。在实现本专利技术的过程中,专利技术人发现相关技术至少存在以下问题:上述方法需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分,过程较为复杂,且耗时较长。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置,可以解决相关技术中需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分,过程较为复杂,且耗时较长的问题。所述技术方案如下:根据本专利技术实施例的第一方面,提供了一种显示面板的制造方法,所述方法包括:在衬底基板上方设置掩模板,所述掩模板包括遮挡区域,所述遮挡区域在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠;利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案,所述开口在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠。可选的,所述利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案,包括:以所述掩模板作为掩模,通过化学气相沉积技术在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案。可选的,所述利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案,包括:利用所述掩模板在所述衬底基板上依次形成两层或多层无机层图案。可选的,所述利用所述掩模板在所述衬底基板上依次形成两层或多层无机层图案,包括:利用所述掩模板在所述衬底基板上形成第一无机层图案;减小掩模距离,所述掩模距离为所述掩模板与所述衬底基板之间的距离;利用所述掩模板在所述衬底基板上形成第二无机层图案。可选的,所述减小掩模距离,包括:根据所述第二无机层图案上的所述开口的预设宽度减小所述掩模距离,所述预设宽度与所述掩模距离负相关,且所述预设宽度小于或等于所述遮挡区域的宽度。可选的,还包括:在所述掩模板和所述化学气相沉积技术的反应气体的喷口之间设置气体扩散器。根据本专利技术实施例的第二方面,提供一种显示基板,所述显示基板为通过第一方面所述方法制造的显示基板,所述显示基板包括衬底基板;所述衬底基板上设置有具有开口的无机层图案,所述无机层图案是利用掩模板在所述衬底基板上形成的,所述开口在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠。可选的,所述无机层图案包括设置在所述衬底基板上的第一无机层图案以及设置在所述第一无机层图案远离所述衬底基板一侧的第二无机层图案,所述第二无机层图案上的所述开口的宽度大于所述第一无机层图案上的所述开口的宽度。可选的,所述显示基板为有机发光二极管显示面板中的显示基板。根据本申请的第三方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括第二方面所述的显示基板。根据本申请的第四方面,提供一种显示装置,所述显示装置包括本申请第三方面所述的显示面板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是:通过掩模板直接遮挡衬底基板的翻折区域,再利用掩模板在衬底基板上形成无机层图案,由于掩模板的遮挡,无机层图案在翻折区域会存在一个开口,无需构图工艺即可去除无机层位于翻折区域的部分。解决了相关技术中需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分,过程较为复杂,且耗时较长的问题。达到了能够方便快捷的去除无机层位于翻折区域的部分的效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是相关技术中翻折显示基板的示意图;图2是本专利技术实施例示出的一种显示基板的制造方法的流程图;图3-1是本专利技术实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图;图3-2是图3-1所示的显示基板的制造方法中衬底基板、喷口和掩模板的结构示意图;图3-3是图3-1所示的显示基板的制造方法中衬底基板、喷口、掩模板和气体扩散器的结构示意图;图3-4是图3-1所示的显示基板的制造方法中形成了第一无机层图案后衬底基板以及其他各个结构的示意图;图3-5是图3-1所示的显示基板的制造方法中形成第二无机层图案的流程图;图3-6是图3-1和图3-5所示的显示基板的制造方法中形成有两个无机层的衬底基板的结构示意图;图4是本专利技术实施例提供的一种显示基板的结构示意图。通过上述附图,已示出本专利技术明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本专利技术构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。构图工艺通常包括曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺,过程复杂且耗时较长(节拍时间(英文:tacttime)长)。此外,相关技术中,通过构图工艺去除不同的无机层位于翻折区域的部分时,还需要不同的掩膜板,大大增加了生产成本。本专利技术实施例提供的一种显示基板的制造方法,能够解决相关技术中的这一问题。如图2所示,其为本专利技术实施例示出的一种显示基板的制造方法的流程图。该显示基板的制造方法可以包括如下几个步骤:步骤201、在衬底基板上方设置掩模板,掩模板包括遮挡区域,遮挡区域在衬底基板上的正投影与衬底基板的翻折区域存在重叠。步骤202、利用掩模板在衬底基板上形成具有开口的无机层图案,开口在衬底基板上的正投影与衬底基板的翻折区域存在重叠。综上所述,本专利技术实施例提供的显示基板制造方法,通过掩模板直接遮挡衬底基板的翻折区域,再利用掩模板在衬底基板上形成无机层图案,由于掩模板的遮挡,无机层图案在翻折区域会存在一个开口,无需构图工艺即可去除无机层位于翻折区域的部分。解决了相关技术中需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分,过程较为复杂,且耗时较长的问题。达到了能够方便快捷的去除无机层位于翻折区域的部分的效果。图3-1是本专利技术实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图。该显示基板的制造方法可以包括如下几个步骤:步骤301、将衬底基板放入真空腔室。在通过本专利技术实施例提供的方法制造显示基板时,首先可以将衬底基板放入真空腔室,以提高后续各个步骤所形成的膜层的质量。该衬底基板可以是柔性的衬底基板,以方便后续将显示基板位于外围区的部分从翻折区域翻折至显示本文档来自技高网...
显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置

【技术保护点】
一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上方设置掩模板,所述掩模板包括遮挡区域,所述遮挡区域在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠;利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案,所述开口在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上方设置掩模板,所述掩模板包括遮挡区域,所述遮挡区域在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠;利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案,所述开口在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案,包括:以所述掩模板作为掩模,通过化学气相沉积技术在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案,包括:利用所述掩模板在所述衬底基板上依次形成两层或多层无机层图案。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述利用所述掩模板在所述衬底基板上依次形成两层或多层无机层图案,包括:利用所述掩模板在所述衬底基板上形成第一无机层图案;减小掩模距离,所述掩模距离为所述掩模板与所述衬底基板之间的距离;利用所述掩模板在所述衬底基板上形成第二无机层图案。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述减小掩模距离,包括:根据所述第二无机层图案...

【专利技术属性】
技术研发人员:高永益董婉俐马宏伟
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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