用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格制造技术

描述了一种装置，包括：输入铁磁体，其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格
技术介绍
检测磁体的状态是磁存储器和磁逻辑器件的基本计算步骤。磁体的状态确定了其存储的是逻辑零还是逻辑一。磁存储器的一个示例是自旋转移矩(STT)磁随机存取存储器(MRAM)。在STTMRAM中，磁存储器的状态是通过感测存储器的磁性器件的电阻然后将该电阻与参考电阻进行比较来确定的。磁状态向电荷变量的转换对于磁自旋逻辑器件和互连件而言也很重要。例如，诸如电流之类的电荷变量能够流过长的互连件而到达其它磁自旋逻辑器件。现有的磁体检测基于磁隧道结(MTJ)和/或自旋电流互连件，但是它们受到若干限制。例如，通过隧道磁电阻(TMR)介导的从自旋电流到电荷变量的转换具有有限的转换效率，来自存储器的基于TMR的读出将器件电阻限制到4千欧姆到8千欧姆的范围内，基于自旋电流的互连件因沿着该互连件的长度的自旋降低的原因而受到互连件长度的限制。这些限制和约束导致STTMRAM的读取速度有限并且自旋逻辑器件的互连件选择也有限。附图说明通过下文给出的详细说明以及本公开内容的各个实施例的附图，本公开内容的实施例将得到更加充分的理解，但是不应认为其将本公开内容局限于具体的实施例，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：输入铁磁体，所述输入铁磁体接收第一充电电流并且生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，所述金属层叠置体被配置为将所述对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：输入铁磁体，所述输入铁磁体接收第一充电电流并且生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，所述金属层叠置体被配置为将所述对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属层叠置体形成具有表面合金的自旋金属超晶格。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述表面合金具有表面波纹。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述表面合金的金属之一为重金属。5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述自旋金属超晶格为表面合金和非合金金属的晶格。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述叠置体的所述非合金金属耦合至所述输入铁磁体。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述非合金金属是以下各项的至少其中之一：Ag，Cu，或者Au。8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述表面合金是以下的至少其中之一：Bi和Ag；Bi和Cu；或者Pb和Ag。9.根据权利要求5所述的装置，其中，随着所述对应的自旋电流流过所述表面合金和所述非合金金属，所述对应的自旋电流被转换为所述第二充电电流。10.根据权利要求2所述的装置，其中，所述表面合金具有高密度二维(2D)电子气，所述高密度二维(2D)电子气具有高Rashba自旋轨道耦合。11.根据权利要求10所述的装置，其中，当所述第二充电电流流过所述2D电子气时，所述2D电子气变为2D自旋气。12.根据权利要求2所述的装置，其中，所述自旋金属超晶格与所述输入铁磁体匹配。13.根据权利要求5所述的装置，其中，所述自旋金属超晶格的所述非合金金属与所述输入铁磁体匹配，并且其中，所述非合金金属之后伴随着所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·马尼帕特鲁尼，A·乔杜里，D·E·尼科诺夫，I·A·扬，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US