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用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格制造技术
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下载用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格的技术资料
文档序号:17202234
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描述了一种装置,包括:输入铁磁体,其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流;以及金属层叠置体,其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流,其中,所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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