一种器件的后处理方法技术
A post processing method of a device
The present invention discloses a processing method of a device, used for forming a protective layer on the device, which comprises the following steps: S10, the device coupling reaction in vacuum environment, the formation of coupling agent molecule self limiting molecular layer on the surface of the device; S20, forming a polymer coating on the surface of the the device. The post-processing method of the invention has the following advantages: after treatment, the size of the device is hardly affected, and the original performance of the device is well retained, and the cost is low, the process is simple, the protection is reliable and safe, and the fatigue strength is high.
【技术实现步骤摘要】
一种器件的后处理方法
本专利技术涉及器件的表面防护
，具体涉及一种器件的后处理方法。
技术介绍
在医疗、工业等应用领域中，需要对器件进行表面防护，如通过后处理的方式使器件具有防水、防腐蚀等特性。例如，在医疗领域中常见的植入式器件，其工作环境为生物体内，需要做防水、防腐蚀处理。又例如，在各行各业中大量使用的传感器或执行器，如果其工作环境为水中、腐蚀性液体中、或潮湿环境中，则需要对其做防水、防腐蚀处理。又例如，使用范围遍及各行各业的电子元器件，为防止水汽或水分侵入而损坏内部电路，也需要进行专门的防水处理。再例如，化工设备中的零部件，在工作过程中不可避免地会接触到化学物质，而为了避免受到这些化学物质的腐蚀，也需要对相应的表面进行防腐蚀处理。再例如，船舶设备中的零部件，工作过程中有可能直接浸泡在水中，因而对防水、防腐蚀也有着很高的要求。现有技术中，对各种器件进行以表面防护为目的的后处理方法主要包括采用盖板密封的后处理封装方法和采用涂层包覆的后处理封装方法两种。例如，对于植入式器件、传感器、执行器或电子元器件来说，现有技术中主要是采用盖板密封的后处理封装方法对其进行防...
【技术保护点】
一种器件的后处理方法，用于在器件上形成防护层，其特征在于，包括步骤：S10、将所述器件在真空环境下进行偶联反应，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；S20、在所述器件的表面上形成聚合物涂层。
【技术特征摘要】
1.一种器件的后处理方法，用于在器件上形成防护层，其特征在于，包括步骤：S10、将所述器件在真空环境下进行偶联反应，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；S20、在所述器件的表面上形成聚合物涂层。2.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，步骤S10中，将所述器件与不含水的偶联剂一同置于真空状态下的沉积腔中，使所述偶联剂因负压而气化，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；或者，将不含水的偶联剂施加到所述器件的表面上，之后将所述器件置于真空状态下的沉积腔中，使所述偶联剂因负压而气化，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；优选地，将不含水的偶联剂以喷涂(优选为超声雾化法喷涂)、滴注、蘸涂或浸泡的方式施加到所述器件的表面上。3.根据权利要求2所述的后处理方法，其特征在于，步骤S10中，所述沉积腔中的气压为0-100Torr，温度为0-100℃；和/或，步骤S10中，在所述器件的表面上形成的偶联剂分子的自限分子层的厚度小于1微米。4.根据权利要求1-3之一所述的后处理方法，其特征在于，步骤S10中，采用的偶联剂包括硅烷偶联剂、有机铬络合偶联剂、钛酸酯偶联剂和/或铝酸化合偶联剂。5.根据权利要求1-4之一所述的后处理方法，其特征在于，步骤S20中，将所述器件置于真空沉积室中，将聚合物原料裂解成气态单体，使所述气态单体进入所述真空沉积室，并在所述器件的表面沉积并聚合形成聚合物涂层。6.根据权利要求5所...
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