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本发明公开了一种器件的后处理方法，用于在器件上形成防护层，其包括步骤：S10、将所述器件在真空环境下进行偶联反应，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；S20、在所述器件的表面上形成聚合物涂层。本发明的后处理方法具有如下优点：处理后...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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