The utility model discloses a N type GaN doped polarization ohmic contact electrode, which relates to the technical field of electrode N GaN ohmic contact, N type GaN doped ohmic contact electrode polarization, GaN polarization in N doped structure is Si/Ti/Al/Ni/Au structure electrode, metal semiconductor technology will be in high temperature annealing at high temperature Si spread to the N type GaN doped polarization structure, equivalent to an increase of N type GaN surface doping effect, thereby improving ohmic contact resistance, reduce the voltage of N type GaN doped polarization devices, Ni/Au layer Au has anti-oxidation effect between Al/Au interlayer has a lattice transition and Al layer to prevent the ball the role of.
【技术实现步骤摘要】
N型GaN极化掺杂欧姆接触电极
本技术涉及N-GaN欧姆接触电极
,尤其涉及N型GaN极化掺杂欧姆接触电极。
技术介绍
GaN是一种宽禁带半导体材料,低的欧姆接触不容易实现,GaN上外延Al组分渐变的AlxGa1-xN层,如果x由GaN-AlxGa1-xN界面至AlxGa1-xN表面增加,则形成N型GaN极化掺杂结构,N型GaN极化掺杂结构可用于肖特基二极管和场效应晶体管。N型GaN极化掺杂结构的体电阻率较高,在高频、高线性等电路应用中对欧姆接触有更高的要求。目前对N型GaN极化掺杂结构的欧姆接触的实现是采用金属电极然后高温退火的方式实现。不能有效降低N型GaN极化掺杂结构的欧姆接触电阻。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,实现低欧姆接触电阻,降低N型GaN极化掺杂结构器件的工作电压。为解决上述技术问题,本技术所采取的技术方案是:N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,欧姆接触电极在N型GaN极化掺杂结构上面,直接与N型GaN极化掺杂结构接触的为一层Si,Si上面为金属层。进一步优化的技术方案为所述的Si扩散进N型GaN极化掺杂结构中。进一步优化的技术方案为所述的Si上方为Ti/Al金属层。进一步优化的技术方案为所述的Ti/Al金属层上方为Pt/Au、Ni/Au或Ti/Au金属层。进一步优化的技术方案为所述Si厚度为1nm~5nm。进一步优化的技术方案为所述Ti厚度为10nm~20nm。进一步优化的技术方案为所述Al厚度为50nm~500nm。进一步优化的技术方案为所述Ni/Au中Ni厚度为20nm ...
【技术保护点】
N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,欧姆接触电极与N型GaN极化掺杂结构直接接触,其特征在于:直接与N型GaN极化掺杂结构接触的为一层Si,Si上方为金属层。
【技术特征摘要】
1.N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,欧姆接触电极与N型GaN极化掺杂结构直接接触,其特征在于:直接与N型GaN极化掺杂结构接触的为一层Si,Si上方为金属层。2.根据权利要求1所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,其特征在于所述Si扩散进N型GaN极化掺杂结构中。3.根据权利要求1所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,其特征在于所述Si上方为Ti/Al金属层。4.根据权利要求3所述的N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,其特征在于所述Ti/Al金属层上方为Pt/Au、Ni/Au或Ti/Au金属层。5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:房玉龙,宋旭波,冯志红,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:新型
国别省市:河北,13
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