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本实用新型公开了一种N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，涉及N‑GaN欧姆接触电极技术领域，N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，在N型GaN极化掺杂结构上是Si/Ti/Al/Ni/Au结构的电极，半导体工艺中金属都会进行高温退火处理，高温下Si扩散...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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