一种减小电容耦合的电路及AMOLED显示电路制造技术

本发明专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种减小电容耦合的电路及AMOLED显示电路。本发明专利技术在电容的负极处于悬浮状态时，第一节点的电压会发生变化，通过在第一节点的电压发生变化后的一预设时间后，利用第一控制信号使得第一MOS管导通，使得第一节点的电压能够跟随第一控制信号，以对第一节点的电压变化进行补偿，从而减小电容耦合效应带来的显示质量差等问题。

A circuit and AMOLED display circuit for reducing capacitance coupling

The invention relates to the field of display, in particular to a circuit and a AMOLED display circuit for reducing the coupling of capacitance. The present invention is placed in a suspended state of the anode capacitance, the voltage of the first node will change, the change in the voltage of the first node after a preset time, the first control signal so that the first MOS is turned on, the voltage of the first node can follow the first control signal to compensate the voltage on the first node the display, thereby reducing the poor quality problems of the capacitance coupling effect.

【技术实现步骤摘要】
一种减小电容耦合的电路及AMOLED显示电路
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种减小电容耦合的电路及AMOLED显示电路。
技术介绍
AMOLED（ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极体面板）显示电路，包括多个OLED（OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管）显示器件，以及驱动各个显示器件点亮的驱动电路。但是驱动电路中通常包括一电容，当该电容处于悬浮状态时，电容的一端的处于悬浮状态时，电容一端的电压会随着与之连接的MOS管的栅极电压变化而变化，从而产生电容耦合（coupling）效应，进而影响OLED显示器件的发光亮度，使得AMOLED显示电路的画素质量受到影响。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，现提供了一种减小电容耦合的电路及AMOLED显示电路。具体的技术方案如下：一种减小电容耦合的电路，所述电路包括：电容，具有正极和负极，所述电容的正极与一供电电压源连接；第一MOS管，所述第一MOS管的第一端与所述电容的负极连接，所述第一MOS管的第一端与所述电容的负极形成有第一节点，所述第一MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减小电容耦合的电路，其特征在于，所述电路包括：电容，具有正极和负极，所述电容的正极与一供电电压源连接；第一MOS管，所述第一MOS管的第一端与所述电容的负极连接，所述第一MOS管的第一端与所述电容的负极形成有第一节点，所述第一MOS管的控制端接入一第一控制信号；第二MOS管，所述第二MOS管的第一端与所述第一MOS管的第二端连接，所述MOS管的第二端与一初始化电源端连接，所述第二MOS管的控制端接入一第二控制信号；第三MOS管，所述第三MOS管的第一端与所述初始化电源端连接，所述第三MOS管的控制端接入所述第二控制信号；显示器件，所述显示器件的一端与所述第三MOS管的第二端连接；以及所述电...

【技术特征摘要】
1.一种减小电容耦合的电路，其特征在于，所述电路包括：电容，具有正极和负极，所述电容的正极与一供电电压源连接；第一MOS管，所述第一MOS管的第一端与所述电容的负极连接，所述第一MOS管的第一端与所述电容的负极形成有第一节点，所述第一MOS管的控制端接入一第一控制信号；第二MOS管，所述第二MOS管的第一端与所述第一MOS管的第二端连接，所述MOS管的第二端与一初始化电源端连接，所述第二MOS管的控制端接入一第二控制信号；第三MOS管，所述第三MOS管的第一端与所述初始化电源端连接，所述第三MOS管的控制端接入所述第二控制信号；显示器件，所述显示器件的一端与所述第三MOS管的第二端连接；以及所述电容的负极处于悬浮状态时，且所述第一节点的电压发生变化后的一预设时间内，所述第一MOS管导通，所述第二MOS管截止；其中，所述第二MOS管和所述第三MOS管为同一沟道类型的MOS管。2.根据权利要求1所述的减小电容耦合的电路，其特征在于，所述显示器件为OLED显示器件。3.根据权利要求1所述的减小电容耦合的电路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为PMOS管。4.根据权利要求1所述的减小电容耦合的电路，其特征在于，所述第一节点选择性地接入一数据信号，以使所述电容的负极处于非悬浮状态。5.根据权利要求1所述的减小电容耦合的电路，其特征在于，还包括：第四MOS管，所述第四MOS管第一端选择性地与所述供电电源端连接，所述第四MOS管的第二端接入一数据信号，所述第四MOS管的控制端接入第三控制信号；第五MOS管，所述第五MOS管的第一端与所述第四MOS管的第二端连接，所述第五MOS管的控制端与所述第一节点连接；第六MOS管，所述第六MOS管的第一端与所述第五MOS管的第二端连接，所述第六M...

【专利技术属性】
技术研发人员：周兴雨，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31