一种光能利用率高的太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术提出了一种光能利用率高的太阳能电池片，包括晶体硅片、正面栅线、背面电极，其特征在于：所述背电极分布于晶体硅片的背面，所述正面栅线分布于晶体硅片的正面，所述正面栅线包括一级主栅、二级主栅、三级主栅、副栅和辅助副栅，所述一级主栅之间设有间隙，所述一级主栅、二级主栅通过三级主栅相连，所述三级主栅与一级主栅组成封闭区域外侧均匀铺设有副栅，所述副栅与一级主栅相垂直，所述三级主栅与一级主栅组成封闭区域内侧均匀铺设有辅助副栅。多个主栅、副栅配合的结构，能够有效地提高太阳能电池片的光利用和电子收集率，间隙两侧的形成独立发电单元的太阳能电池片的电极结构，能够单独发电单元使用，或者并联后合并使用。

A solar cell with high light energy utilization

The utility model provides a solar energy utilization rate is high, including crystal silicon, front gate line, a back electrode, which is characterized in that the back side of the electrode distribution in crystal silicon on the front side of the front gate line distribution in crystal silicon chip, the front gate line includes a main gate two, the main gate, the main gate, three gate side and auxiliary auxiliary grid, a gap is arranged between the main gate, the main gate, a two main gate through three main gate is connected to the three level of the main gate and a main gate composed of closed area evenly paved with the side gate, side gate and main gate level is vertical, and the three levels of the main gate and a main gate form a closed zone inside evenly with auxiliary side gate. \u591a\u4e2a\u4e3b\u6805\u3001\u526f\u6805\u914d\u5408\u7684\u7ed3\u6784\uff0c\u80fd\u591f\u6709\u6548\u5730\u63d0\u9ad8\u592a\u9633\u80fd\u7535\u6c60\u7247\u7684\u5149\u5229\u7528\u548c\u7535\u5b50\u6536\u96c6\u7387\uff0c\u95f4\u9699\u4e24\u4fa7\u7684\u5f62\u6210\u72ec\u7acb\u53d1\u7535\u5355\u5143\u7684\u592a\u9633\u80fd\u7535\u6c60\u7247\u7684\u7535\u6781\u7ed3\u6784\uff0c\u80fd\u591f\u5355\u72ec\u53d1\u7535\u5355\u5143\u4f7f\u7528\uff0c\u6216\u8005\u5e76\u8054\u540e\u5408\u5e76\u4f7f\u7528\u3002

【技术实现步骤摘要】
一种光能利用率高的太阳能电池片
本技术涉及太阳能电池片的
，特别是一种光能利用率高的太阳能电池片的

技术介绍
太阳能电池片分为单晶电池片和多晶电池片，现有太阳能电池片的正面电机一般采用的是梳形电极，或者采用的是平行线的副栅线与竖直主栅线相结合的电极，梳形电极虽然透光性较好但电子吸附率低较低，平行线的副栅线与竖直主栅线相结合的正电极，则是电子吸附率高但是透光性较差。
技术实现思路
本技术的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种光能利用率高的太阳能电池片，多个主栅、副栅配合的结构，能够有效地提高太阳能电池片的光利用和电子收集率，间隙两侧的形成独立发电单元的太阳能电池片的电极结构，能够单独发电单元使用，或者并联后合并使用。为实现上述目的，本技术提出了一种光能利用率高的太阳能电池片，包括晶体硅片、正面栅线、背面电极，其特征在于：所述背电极分布于晶体硅片的背面，所述正面栅线分布于晶体硅片的正面，所述正面栅线包括一级主栅、二级主栅、三级主栅、副栅和辅助副栅，所述一级主栅的数目为两根，所述一级主栅之间设有间隙，所述一级主栅、二级主栅、三级主栅对称分布在间隙的两侧，所述一级主栅、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光能利用率高的太阳能电池片，包括晶体硅片、正面栅线、背面电极，其特征在于：所述背面电极分布于晶体硅片的背面，所述正面栅线分布于晶体硅片的正面，所述正面栅线包括一级主栅(1)、二级主栅(2)、三级主栅(3)、副栅(4)和辅助副栅(5)，所述一级主栅(1)的数目为两根，所述一级主栅(1)之间设有间隙(11)，所述一级主栅(1)、二级主栅(2)、三级主栅(3)对称分布在间隙(11)的两侧，所述一级主栅(1)、二级主栅(2)通过三级主栅(3)相连，所述三级主栅(3)与一级主栅(1)有两个交点，所述三级主栅(3)与二级主栅(2)至少有一个交点，所述三级主栅(3)与一级主栅(1)组成封闭区域外侧均匀铺...

【技术特征摘要】
1.一种光能利用率高的太阳能电池片，包括晶体硅片、正面栅线、背面电极，其特征在于：所述背面电极分布于晶体硅片的背面，所述正面栅线分布于晶体硅片的正面，所述正面栅线包括一级主栅(1)、二级主栅(2)、三级主栅(3)、副栅(4)和辅助副栅(5)，所述一级主栅(1)的数目为两根，所述一级主栅(1)之间设有间隙(11)，所述一级主栅(1)、二级主栅(2)、三级主栅(3)对称分布在间隙(11)的两侧，所述一级主栅(1)、二级主栅(2)通过三级主栅(3)相连，所述三级主栅(3)与一级主栅(1)有两个交点，所述三级主栅(3)与二级主栅(2)至少有一个交点，所述三级主栅(3)与一级主栅(1)组成封闭区域外侧均匀铺设有副栅(4)，所述副栅(4)与一级主栅(1)相垂直，所述三级主栅(3)与一级主栅(1)组成封闭区域内侧均匀铺设...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵华飞，
申请(专利权)人：浙江中晶新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33