一种IBC电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种N型晶硅衬底的IBC电池及其制备方法。以具有表面随机分布有倒四棱锥组的N型晶硅片作为衬底，在背面局部区域形成p‑n结，在背面进行局域同导电类型掺杂，形成N+和P+层，在电池正面依次形成氧化硅层、氮化硅层，在电池背面形成氧化硅层，在N型晶硅衬底背面的N+和P+区域分别印刷金属正负电极、烧结得到本发明专利技术的IBC电池。本发明专利技术通过在正表面制备随机分布有倒四棱锥组的绒面，增加了光的吸收，易于钝化，提高了电池效率。

A IBC battery and its preparation method

The invention relates to a IBC battery of N crystalline silicon substrate and a preparation method thereof. The surface is a random distribution of N type wafer down four pyramid group as substrate, the formation of P n junction on the back of the local area, with the local conductivity type doped on the back, the formation of N+ and P+ layer on the front of the battery are forming a silicon oxide layer and a silicon nitride layer, forming a silicon oxide layer on the back of the battery in N, the crystalline silicon substrate on the back of the N+ and P+ regions respectively printing metal positive and negative electrodes, the sintered IBC cell of the invention. The invention provides a random distribution of the suede with the inverted four pyramid group on the positive surface, which increases the absorption of light, is easy to passivate, and improves the efficiency of the battery.

【技术实现步骤摘要】
一种IBC电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池及其制备方法，特别涉及IBC电池及其制备方法。
技术介绍
太阳电池是光伏发电系统的核心器件，其发展水平直接决定了光伏发电的发展水平，提高太阳电池转换效率是长期以来人们一直努力解决的问题。N型叉指背结背接触(InterdigitatedBackContact，IBC)太阳电池是转换效率最高的电池结构之一。由于IBC硅太阳电池在光吸收、电极收集效率及电极接触特性方面的性能均优于传统P型晶硅太阳电池，其已成为晶硅电池领域的研究热点，该电池的受光面无任何金属电极遮挡，从而有效增加了电池片的短路电流，使电池片的能量转化效率得到提高。美国Sunpower公司可进行IBC太阳电池的大规模生产，目前产业化IBC电池的转换效率可达到22％。2014年，Sunpower公司宣布在实验室研制的大面积(125×125mm2)IBC太阳电池转换效率达到25％。目前，被认可最高的硅基单结太阳能电池同样是采用的IBC结合HIT的方法制备而得。为进一步提高IBC硅太阳电池的转换效率，必须对IBC硅太阳电池的结构参数和工艺条件进行精细的设计和优化。国内对于IBC电池本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IBC电池，其包括N型晶硅衬底、钝化层、正负电极，所述硅衬底表面随机分布倒四棱锥组，所述硅衬底的倒四棱锥组包括二个或多个至少部分相互叠加的倒四棱锥，在硅衬底的背面局域掺杂，形成P‑N结，在硅衬底背面局域掺杂形成N+和P+层，在电池正面依次形成氧化硅层、氮化硅层，在电池背面形成氧化硅层，背面钝化层开窗，在N型晶硅衬底背面的N+和P+区域分别印刷金属正负电极，电极与掺杂层形成欧姆接触，烧结得到IBC电池。

【技术特征摘要】
1.一种IBC电池，其包括N型晶硅衬底、钝化层、正负电极，所述硅衬底表面随机分布倒四棱锥组，所述硅衬底的倒四棱锥组包括二个或多个至少部分相互叠加的倒四棱锥，在硅衬底的背面局域掺杂，形成P-N结，在硅衬底背面局域掺杂形成N+和P+层，在电池正面依次形成氧化硅层、氮化硅层，在电池背面形成氧化硅层，背面钝化层开窗，在N型晶硅衬底背面的N+和P+区域分别印刷金属正负电极，电极与掺杂层形成欧姆接触，烧结得到IBC电池。2.根据权利要求1所述的IBC电池，其特征在于，所述倒四棱锥组还包括至少部分叠加的倒四棱锥和长方体的组合，所述长方体沿与倒四棱锥中心线平行的方向上叠加；进一步地，所述至少部分叠加的倒四棱锥和长方体的组合之间也相互叠加。3.根据权利要求1所述的IBC电池，其特征在于，所述倒四棱锥组的宽度为200-1600nm。4.根据权利要求1所述的IBC电池，其特征在于，所述倒四棱锥组所包括的倒四棱锥深度和宽度的比为0.2-2∶1。5.一种根据权利要求1的IBC电池的制备方法，步骤如下：步骤1，对N型晶硅衬底进行金属催化刻蚀，在硅衬底的表面形成倒四棱锥绒面结构，反射率为10％～20％；步骤2，对制绒后的硅片衬底背面进行局域掺杂，形成P-N结；步骤3，对上述硅衬底的背面再进行局域...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈全胜，陈伟，吴俊桃，赵燕，王燕，刘尧平，徐鑫，杜小龙，
申请(专利权)人：北京普扬科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11