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本发明涉及一种N型晶硅衬底的IBC电池及其制备方法。以具有表面随机分布有倒四棱锥组的N型晶硅片作为衬底，在背面局部区域形成p‑n结，在背面进行局域同导电类型掺杂，形成N+和P+层，在电池正面依次形成氧化硅层、氮化硅层，在电池背面形成氧化硅层...
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