【技术实现步骤摘要】
一种Cu:ZnO/N:rGO复合光催化剂的制备方法
本专利技术涉及一种光催化剂的制备方法,属于半导体纳米光催化材料
技术介绍
能源短缺与环境污染问题是人类未来将要面临的最主要挑战,而光催化分解水及降解污染物被认为是解决这两个问题的有效方法。相比传统的TiO2,同为宽禁带半导体的ZnO拥有更丰富的来源和更高的量子效率,被认为是有潜力替代TiO2的材料之一。ZnO是一种原材料丰富,环境友好的半导体材料,带隙宽(Eg≈3.3eV),在紫外光照射下能够产生具有很强氧化还原能力的空穴和电子。因此,ZnO理论上具有与TiO2相近的光催化能力。然而,由于光生载流子的迅速复合导致ZnO光催化性能降低和光腐蚀造成的自身结构不稳定,这两个问题严重制约了ZnO在光催化领域的发展。将石墨烯与ZnO进行复合制备ZnO/rGO复合光催化剂是一种有效提高ZnO光催化性能和光腐蚀抗性的方法。现有技术中尚未见对ZnO和rGO同时进行掺杂后再复合的研究和报道。本专利技术通过Cu掺杂制备出p型ZnO,然后与N掺杂的n型rGO复合形成纳米p-n结型复合光催化剂,利用rGO优良的电子传递性能和p ...
【技术保护点】
一种Cu:ZnO/N:rGO复合光催化剂的制备方法,该复合光催化剂由Cu掺杂的ZnO纳米棒和包覆在上述纳米棒外的N掺杂rGO构成,其特征在于,该复合光催化剂的制备方法包括以下步骤:1)将Zn(CH3COOH)2·2H2O、HMTA和Cu(CH3COO)2溶于去离子水中,使Zn(CH3COOH)2·2H2O和HMTA的浓度均为30mM,Cu(CH3COO)2浓度为0.3mM~0.9mM,获得混合溶液,将混合溶液置于反应釜中在90℃下保温4h,将得到的沉淀物离心洗净并干燥,获得Cu掺杂的ZnO纳米棒;2)将步骤1)的Cu掺杂ZnO纳米棒分散在去离子水中,然后加入5wt%的GO溶 ...
【技术特征摘要】
1.一种Cu:ZnO/N:rGO复合光催化剂的制备方法,该复合光催化剂由Cu掺杂的ZnO纳米棒和包覆在上述纳米棒外的N掺杂rGO构成,其特征在于,该复合光催化剂的制备方法包括以下步骤:1)将Zn(CH3COOH)2·2H2O、HMTA和Cu(CH3COO)2溶于去离子水中,使Zn(CH3COOH)2·2H2O和HMTA的浓度均为30mM,Cu(CH3COO)2浓度为0.3mM~0.9mM,获得混合溶液,将混合溶液置于反应釜中在90℃下保温4h,将得到的沉淀物离心洗净并干燥,获得C...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘新花,周宇嵩,吕斌,叶志镇,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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