一种MEMS器件及其制造方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种MEMS器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有若干对准标记；提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆相接合；切割所述第二晶圆，以在所述第二晶圆中形成切割道，并在所述切割道中露出所述若干对准标记。本发明专利技术的优点在于：(1)通过切割方法将所述对准标记完全暴露，很好的将所述对准标记与切割工艺的集成，避免增加额外的步骤，进一步降低工艺成本。(2)提高了产品的良率。(3)避免了对准偏移的问题。

A MEMS device and its manufacturing methods and electronic devices

The present invention provides an MEMS device, a manufacturing method and an electronic device. The method includes providing a first wafer, a plurality of alignment marks formed on the first wafer; providing second wafer and the second wafer with the first wafer bonding; cutting the wafer second, cutting line to form in the second wafer, and the cutting path in exposing the number of alignment in the marker. The advantages of the invention are: (1) through the cutting method, the alignment mark is completely exposed, and the integration of the alignment mark and the cutting process is well avoided, so as to avoid additional extra steps and further reduce the process cost. (2) improve the yield of the product. (3) avoid the problem of alignment offset.

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件及其制造方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种MEMS器件及其制造方法和电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，在传感器(motionsensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。在MEMS器件制备过程中，有些产品是由两片晶圆健合(Bonding)之后，继续进行后续的工艺。但是后续工艺中在所述第一晶圆中形成的光刻对准(photoalignment)标记会被第二晶圆覆盖，在后续的对准工艺中会造成图案层的偏移，导致产品因上下层对准偏移而失效。因此，为解决现有技术中的上述技术问题，有必要提出一种新的MEMS器件及其制造方法和电子装置。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术实施例提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有若干对准标记；提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆相接合；切割所述第二晶圆，以在所述第二晶圆中形成切割道，并在所述切割道中露出所述若干对准标记。可选地，在所述第一晶圆中形成有切割道区域，所述对准标记形成于所述切割道区域中。可选地，选用晶圆切割的方法切割所述第二晶圆，以露出所述若干对准标记。可选地，在形成所述切割道之后还进一步包括对所述第二晶圆进行清洗的步骤。可选地，在所述切割之前还进一步包括对所述顶部晶圆进行计算的步骤。可选地，所述方法还进一步包括以所述对准标记为参照对所述第二晶圆进行图案化的步骤和/或执行对准工艺。可选地，切割所述第二晶圆至所述对准标记上方的材料层厚度为10-15um时停止。可选地，所述对准标记的上方还形成有氧化物层。本专利技术还提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件通过上述方法制备得到。本专利技术还提供了一种电子装置，包括上述的MEMS器件。为了解决目前工艺中存在的问题，本专利技术提供了一种制备MEMS器件的方法，所述方法在第一晶圆中预期形成切割道的区域内形成有若干对准标记；然后提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆接合为一体；切割所述第二晶圆，以形成切割道，以露出所述若干对准标记。通过所述方法可以将所述对准标记完全露出，避免了被第二晶圆覆盖，不能起到对准标记作用的弊端，以保证后续的对准工艺或者图案化不会发生对准偏移的问题。本专利技术的优点在于：(1)通过切割方法将所述对准标记完全暴露，很好的将所述对准标记与切割工艺的集成，避免增加额外的步骤，进一步降低工艺成本。(2)提高了产品的良率。(3)避免了对准偏移的问题。本专利技术的MEMS器件，由于采用了上述制造方法，因而同样具有上述优点。本专利技术的电子装置，由于采用了上述MEMS器件，因而同样具有上述优点。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1为本专利技术的另一个实施例的一种MEMS器件的制造方法的示意性流程图；图2A-图2C为本专利技术的一实施例中的一种MEMS器件的制造方法的相关步骤形成的结构的剖视图；图3示出了根据本专利技术一实施方式的电子装置的示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。这里参考作为本专利技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述专利技术的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本专利技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本专利技术的范围。为了彻底理解本专利技术，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有若干对准标记；提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆相接合；切割所述第二晶圆，以在所述第二晶圆中形成切割道，并在所述切割道中露出所述对准标记。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有若干对准标记；提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆相接合；切割所述第二晶圆，以在所述第二晶圆中形成切割道，并在所述切割道中露出所述对准标记。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一晶圆中形成有切割道区域，所述对准标记形成于所述切割道区域中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用晶圆切割的方法切割所述第二晶圆，以露出所述若干对准标记。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述切割道之后还进一步包括对所述第二晶圆进行清洗的步骤。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31