宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构制造技术

技术编号:17115363 阅读:47 留言:0更新日期:2018-01-24 23:48
本实用新型专利技术属于超硬材料合成技术领域,特别涉及一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构,包含设有组装腔的传压块,组装腔内设置有绝缘体,绝缘体上下两端对称设置有导电堵头组件;绝缘体开设有多个圆柱形合成腔,圆柱形合成腔高度均与绝缘体高度一致;圆柱形合成腔内设置有大单晶生长组件。本实用新型专利技术结构简单,设计新颖合理,通过采用多腔体加热结构,能够实现腔体内温度的长时间平衡,确保合成所需的温差保持稳定,从而使宝石级大单晶实现长时间合优质的生长;避免了原生长方式各大颗粒金刚石碳源分布不均,金刚石生长相互争夺碳源,生长速度不一的情况,可实现腔体内个颗粒的碳源均匀有效供给,从而实现粒度的均匀一致和优质生长。

Multi cavity synthetic structure of large Gem Diamond

The utility model belongs to the technical field of the superhard material synthesis, in particular to a gem grade diamond crystal synthesis with multi cavity structure, including assembly cavity pressure transmission block, an insulator arranged inside the insulator upper and lower ends are symmetrically provided with conductive plug assembly; the insulation body is provided with a plurality of cylindrical cavity cylindrical synthesis, synthesis all cavity height and insulator height; the growth of large single crystal cylindrical cavity component set synthesis. The utility model has the advantages of simple structure, reasonable design, through the use of multi cavity heating structure, long time to achieve the balance temperature inside the cavity, to ensure that the temperature required for the synthesis of stable, so that the gem crystal for long time and quality of growth; to avoid the original rectangular diamond carbon source uneven distribution the diamond growth, competing for carbon source, speed a growth, can realize the cavity particles of carbon source uniformly effective supply, so as to realize the uniform size and quality of growth.

【技术实现步骤摘要】
宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构
本技术属于超硬材料合成
,特别涉及一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构。
技术介绍
随着科技的发展,温差法大单晶合成技术已日益成熟,但常规的合成方法均以在传压块内部设置加热体,加热体内部设置绝缘体及合成介质的方法,由于加热由外部进行,在热量向内传递的过程中势必产生温差,且随着合成腔体的扩大这种温度差亦逐步增加,因此这种加热方式存在的固有缺陷,使得中心温度和外围温度存在较大差异,这样就导致外围和内部温差不一致,从而导致金刚石难以均匀生长,粒度差异较大,极大限制了大颗粒金刚石的合成及优质生长。
技术实现思路
针对现有技术中的不足,本技术提供一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构,结构简单,设计新颖、合理,稳定性好,能够确保合成腔体温度压力场的均匀性,为大单晶的长时间优质生长提供良好条件,从而实现宝石级大颗粒的优质合成。按照本技术所提供的设计方案,一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构,包含设有组装腔的传压块,组装腔内设置有绝缘体,绝缘体上下两端对称设置有导电堵头组件;绝缘体开设有多个圆柱形合成腔,圆柱形合成腔高度均与绝缘体高度一致;圆柱形合成腔内设置有大单本文档来自技高网...
宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构

【技术保护点】
一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构,包含设有组装腔的传压块,其特征在于,组装腔内设置有绝缘体,绝缘体上下两端对称设置有导电堵头组件;绝缘体开设有多个圆柱形合成腔,圆柱形合成腔高度均与绝缘体高度一致;圆柱形合成腔内设置有大单晶生长组件。

【技术特征摘要】
1.一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构,包含设有组装腔的传压块,其特征在于,组装腔内设置有绝缘体,绝缘体上下两端对称设置有导电堵头组件;绝缘体开设有多个圆柱形合成腔,圆柱形合成腔高度均与绝缘体高度一致;圆柱形合成腔内设置有大单晶生长组件。2.根据权利要求1所述的宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构,其特征在于,所述的大单晶生长组件包含晶床、触媒片、碳源、传压片、绝缘管及加热管,晶床、触媒片、碳源及传压片由下至上依次设置于圆柱形合成腔内,绝缘管包设于碳源和触媒片外围并置于传压片及晶床之间,加热管包设于传压片、绝缘管及晶床的外围;加热管高度与传压片、碳源、触媒片及晶床的高度之和相等,加热管高度与圆柱形合成腔高度一致。3.根据权利要求1或2所述的宝石级大单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员:邵增明张存升
申请(专利权)人:河南省力量钻石股份有限公司
类型:新型
国别省市:河南,41

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