半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置的制造方法依次包括：导体部形成工序，在基板(10)上形成从基板(10)的表面起的高度相同的多个导体部(40)；包覆工序，向相邻的导体部(40)的间隙导入热固性树脂组合物(50)，以导体部(40)的顶部(92)露出的方式，利用热固性树脂组合物(50)的固化物(60)覆盖导体部(40)；和多层配线工序，不对固化物(60)的表面进行研磨，而在固化物(60)之上形成与顶部(92)电连接的金属图案(160)。

Manufacturing methods of semiconductor devices

Method of manufacturing a semiconductor device of the present invention comprises the steps of: a conductor part forming process, the substrate (10) formed on the substrate (10) from a plurality of conductor portions of the surface of the same height (40); coating process, a conductor portion adjacent to the gap (40) into a thermosetting resin composition (50). The conductor part (40) of the top (92) show the way, using a thermosetting resin composition (50) cured (60) covering the conductor (40); and part of the multilayer wiring process, not cured (60) surface was polished, and the cured (60) on the formation and the top (92 the electrical connection of the metal pattern) (160).

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在以往的代表性的配线基板的制造工艺中，进行如下操作：在基板上形成导体柱之后，将以覆盖该导体柱的与配置有上述基板的一侧相反的一侧的整个面的方式，通过预模塑得到的树脂层的一部分研磨除去，以使上述导体柱的表面露出之后，以与导体柱电连接的方式形成配线图案(专利文献1等)。在以往的代表性的再配线工艺中，进行如下操作：在半导体芯片的电极焊盘上形成导体柱之后，将所得到的结构体的周围利用密封材料模塑，然后，将密封材料的一部分研磨除去使得导体柱的表面露出后，以与上述导体柱电连接的方式形成再配线层(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2010/116615号小册子专利文献2：日本特开2016-66649号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在专利文献1、2所记载的以往的制造工艺中，为了确保最终得到的半导体装置的电连接性，需要使用大型的装置，进行密封材料的研磨除去处理，使得被密封材料掩埋的导体柱的表面露出。然而，关于半导体装置的制造工艺，近年来，在生产率的观点上，要求比以往更高的技术水平。在利用上述的研磨除去处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：导体部形成工序，在基板上形成从所述基板的表面起的高度相同的多个导体部；包覆工序，向相邻的所述导体部的间隙导入热固性树脂组合物，以所述导体部的顶部露出的方式，利用所述热固性树脂组合物的固化物覆盖所述导体部；和多层配线工序，不对所述固化物的表面进行研磨，而在所述固化物之上形成与所述顶部电连接的金属图案。

【技术特征摘要】
2016.07.14 JP 2016-1394531.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：导体部形成工序，在基板上形成从所述基板的表面起的高度相同的多个导体部；包覆工序，向相邻的所述导体部的间隙导入热固性树脂组合物，以所述导体部的顶部露出的方式，利用所述热固性树脂组合物的固化物覆盖所述导体部；和多层配线工序，不对所述固化物的表面进行研磨，而在所述固化物之上形成与所述顶部电连接的金属图案。2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：导体部形成工序，在半导体芯片之上形成多个导体部，以从支撑体到多个所述导体部的高度相同的方式，将所述半导体芯片和所述导体部配置在所述支撑体之上；包覆工序，向在相邻的所述导体部之间存在的间隙导入热固性树脂组合物，以所述导体部的顶部露出的方式，利用所述热固性树脂组合物的固化物覆盖所述导体部；和多层配线工序，不对所述固化物的表面进行研磨，而在所述固化物之上形成与所述顶部电连接的金属图案，在所述包覆工序之后，还包括将所述支撑体和所述固化物分离的分离工序。3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述包覆工序中，向所述导体部的间隙导入所述热固性树脂组合物时，在所述顶部形成皮层，利用化学方法将所述皮层除去。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述包覆工序中，在使所述热固性树脂组合物成为所述固化物之前，以对所述顶部进行按压的方式配置脱模膜。5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述脱模膜的对所述顶部进行按压的面的算术平均表面粗糙度Ra为0μm以上1.5μm以下。6.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述脱模膜为氟系脱模膜。7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述包覆工序中，对所述固化物的表面进行粗面化处理。8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述粗面化处理的方法为药液处理或等离子体处理。9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述多层配线工序之前，所述固化物的所述顶部露出的面的算术平均表面粗糙度Ra为0.02μm以上0.8μm以下。10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述固化物的固化状态为C阶段的固化状态。11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述多层配线工序中，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠崎裕树，森弘就，光田昌也，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP