一种毫米波功率合成器件制造技术

本发明专利技术公开了一种毫米波功率合成器件，涉及毫米波功率器件技术领域；该功率合成器件包括第一层硅片和第二层硅片，第一层硅片顶面与第二层硅片背面晶圆级封装金金键合在一起；所述第一层硅片上设有通孔形成的功率分配网络、功率放大器芯片和功率合成网络，第一层硅片的背面功率分配网络和功率合成网络的分岔口设有湿法工艺蚀刻的盲槽；第一层硅片通过湿法刻蚀盲槽，放置放大器芯片，功率分配网络和功率合成网络利用硅基MEMS工艺蚀刻通孔形成基片集成波导结构实现，该功率合成器件易于与平面的放大器电路集成，具有较大的品质因数，使得损耗较小，合成效率高，可实现宽频带的匹配。

A kind of millimeter wave power synthesis device

The invention discloses a millimeter wave power combiner, relates to the technical field of millimeter wave power device; the power synthesis device comprises a first layer and second layer of silicon wafer, the first layer and the second layer of the top silicon silicon wafer level packaging gold Jinjian together; the first layer of silicon wafer is provided with a through hole formed by power distribution network, power amplifier and power combining network, blind slot fork back power distribution network and power combining network with the first layer of silicon wet etching process; the first layer of silicon wafer by wet etching of the blind groove, placing the amplifier chip, power distribution network and power synthesis network using silicon MEMS etching process through hole forming the substrate integrated waveguide, the power combiner amplifier circuit parts easy integration with planar, with large quality factor, making the loss Small, high synthesis efficiency, and can achieve wide band matching.

【技术实现步骤摘要】
一种毫米波功率合成器件
本专利技术涉及毫米波功率器件

技术介绍
毫米波是指频率为30GHz-300GHz，波长为10mm-1mm的电磁波。因为毫米波频段具有波长短、频带宽等特性，所以被广泛应用于各大领域。尤其是在制导技术方面，因为毫米波频段的频率较高，在具备微波制导特性的同时也具有一定的光电制导特性，所以毫米波制导技术可以将微波制导技术穿透性强，光电制导器件体积小、角度分辨率高的特点结合起来，具有十分优良的制导性能。而在毫米波系统设计中的一项关键技术就是高效率大功率的功率器件的设计。但随着频率的升高，传统的微带线和金属盒体的功率合成技术形式在毫米波频段遇到了很多问题。例如，采用微带线方式的功率合成技术，由于品质因数低，插入损耗大，影响功率合成的效率；而采用金属波导形式的功率合成器虽然合成效率高，但是在毫米波频段，低精度的金属加工波导的方法不再使用，高精度的金属加工波导的造价昂贵，另外该结构尺寸大、剖面高，难以达到现代毫米波射频前端小型化和易于集成的要求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种毫米波功率合成器件，具有较大的品质因数，使得损耗较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种毫米波功率合成器件，其特征在于：包括第一层硅片和第二层硅片，第一层硅片顶面与第二层硅片背面通过晶圆级封装金金键合在一起；所述第一层硅片上设有功率分配网络（1）、功率放大器放置版块（3）和功率合成网络（2）；第二层硅片背面设有与第一层硅片相同的功率分配网络（1）和功率合成网络（2）；功率分配网络（1）和功率合成网络（2）之间设有与第一层硅片上功率放大器放置版块（3）相配合的通槽（10）；第一层硅片的背面全部电镀金属，所述第一层硅片的顶面的功率分配网络（1）、功率放大器放置版块（3）和功率合成网络（2）部分电镀金属；所述第二层硅片背面的功率分配网络（1）和功率合成网络（2）电镀金属，第二层硅片...

【技术特征摘要】
1.一种毫米波功率合成器件，其特征在于：包括第一层硅片和第二层硅片，第一层硅片顶面与第二层硅片背面通过晶圆级封装金金键合在一起；所述第一层硅片上设有功率分配网络（1）、功率放大器放置版块（3）和功率合成网络（2）；第二层硅片背面设有与第一层硅片相同的功率分配网络（1）和功率合成网络（2）；功率分配网络（1）和功率合成网络（2）之间设有与第一层硅片上功率放大器放置版块（3）相配合的通槽（10）；第一层硅片的背面全部电镀金属，所述第一层硅片的顶面的功率分配网络（1）、功率放大器放置版块（3）和功率合成网络（2）部分电镀金属；所述第二层硅片背面的功率分配网络（1）和功率合成网络（2）电镀金属，第二层硅片顶面部分电镀金属通过硅通孔将放大器芯片的加电点（9）相连并引出到第二层硅片的加电位置（11）；功率放大器芯片的栅极与栅极相连，漏极与漏极相连，用于给功率放大器芯片加电；其特征在于：所述第一层硅片上设有功率分配网络（1）、功率放大器放置版块（3）和功率合成网络（2）均是由若干独立第一通孔（5）排列形成的，第一通孔（5）内侧电镀金属，形成基片集成平面传输波导结构。2.根据权利要求1所述的一种毫米波功率合成器件，其特征在于所述第一层硅片的背面功率分配网络（1）和功率合成网络（2）的分岔口设有盲槽（4）和第二通孔（12）；以实现宽频带的匹配和功率分配。3.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李光福，王志强，高艳红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13