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本发明公开了一种毫米波功率合成器件，涉及毫米波功率器件技术领域；该功率合成器件包括第一层硅片和第二层硅片，第一层硅片顶面与第二层硅片背面晶圆级封装金金键合在一起；所述第一层硅片上设有通孔形成的功率分配网络、功率放大器芯片和功率合成网络，第一...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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