一种SIW损耗传输线制造技术

技术编号:17103667 阅读:43 留言:0更新日期:2018-01-21 13:08
本发明专利技术涉及微波、传输线技术,具体涉及一种SIW损耗传输线,应用于X波段。包括介质基板、介质基板上下表面的金属层和两排平行并贯穿介质基板和二层金属层的金属化通孔或金属柱,以及管状吸波材料层。本发明专利技术通过在介质基板上与金属通孔或金属圆柱同轴的方式设置一层管状吸波材料层于其外围,在保证传输线本身的性能前提之下同时实现了高损耗的性能。管状吸波材料层选用磁损耗或电损耗材料。本发明专利技术提供的SIW损耗传输线,在保证回波损耗低于‑25dB情况下,在X波段(8~12GHz)的最小损耗可达‑4dB,最大耗损可达‑8dB。

A SIW loss transmission line

The invention relates to the technology of microwave and transmission line, in particular to a SIW loss transmission line, which is applied to the X band. It consists of a dielectric substrate, a metal layer on the upper and lower surfaces of the dielectric substrate, and two rows of metallized holes or metal columns parallel to and through the dielectric substrate and the two metal layer, and the tubular absorbing material layer. The invention sets a layer of tubular absorbing material layer on the substrate on the dielectric substrate and coaxial with the metal through-hole or metal cylinder, and achieves high loss performance under the premise of guaranteeing the performance of the transmission line itself. The material of magnetic loss or electrical loss is selected for the tubular absorbing material layer. SIW transmission line is provided by the invention, in ensuring the echo loss is lower than 25dB case in X band (8 ~ 12GHz) the minimum loss of up to 4dB, the biggest loss is 8dB.

【技术实现步骤摘要】
一种SIW损耗传输线
本专利技术涉及微波、传输线技术,具体涉及一种SIW损耗传输线,应用于X波段。技术背景近年来,传输线技术有了很大的发展。矩形波导是较早应用于微波领域的传输线,其功率容量大,损耗小,但是体积较大,难以集成化和小型化,随着微波集成电路的发展,相继出现了带状线,微带线和槽线等微带型结构,这些结构易于集成和小型化,较好地满足微波集成电路发展的需要,但是微带型结构损耗较大。基片集成波导(SubStrateIntegratedWaveguide.SIW)是一种可集成于介质基片的新型传输线。SIW通常是在介质基板上打两排金属通孔,再在基板两面覆以金属得到的。在保证传输线上能量不泄露的情况下,将通孔阵列等效为金属壁,传输特性则可近似矩形波导分析。基片集成波导既有传统微带型传输线的优点也有传统波导的优点。相比于传统微带型传输线,基片集成波导具有更低的辐射、更低的损耗、更高的Q值、更高的功率容量;相比于传统波导,基片集成波导更易于集成化和小型化。基于基片集成波导可将各种无源器件、有源器件和天线等通信器件集成在同一衬底中。传统的SIW传输线传输性能好,损耗低,但是在某些应用场合需要本文档来自技高网...
一种SIW损耗传输线

【技术保护点】
一种SIW损耗传输线,包括介质基板、介质基板上下表面的金属层和两排平行并贯穿介质基板和二层金属层的金属化通孔或金属柱,以及管状吸波材料层,其特征在于:所述管状吸波材料层以金属化通孔或金属柱轴心为物理中心设置于其外围,即金属化通孔或金属柱与吸波材料层呈同轴状结构,管状吸波材料层的壁厚dr>0,高度与介质基板厚度相同并相适应,0<2dr+d<s,d为金属化通孔或金属柱的直径,s为同行相邻金属化通孔或金属柱的轴心距。

【技术特征摘要】
1.一种SIW损耗传输线,包括介质基板、介质基板上下表面的金属层和两排平行并贯穿介质基板和二层金属层的金属化通孔或金属柱,以及管状吸波材料层,其特征在于:所述管状吸波材料层以金属化通孔或金属柱轴心为物理中心设置于其外围,即金属化通孔或金属柱与吸波材料层呈同轴状结构,管状吸波材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪晓光方健成邓龙江陈良梁迪飞
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:四川,51

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