一种化学气相沉积法制备棒球棒状硫化亚铜纳米线的方法技术

本发明专利技术提供了一种化学气相沉积法制备棒球棒状硫化亚铜纳米线的方法，先将氧化亚铜和硫粉分别放置在化学气相沉积装置的高温区和低温区位置，将SiO2/Si基底叠放平放在铜源上方，封闭石英管中的两端；在石英管中通入保护气体5‑10分钟进行排空，打开管式炉加热开关，同时将低温区升温至300℃，高温区升温至700‑800℃，保温10‑20分钟，关闭加热，冷却至室温，即可在SiO2/Si基底上获得尺寸均一的Cu2S纳米线。本发明专利技术制备的棒球棒状Cu2S纳米线具有多级结构，Cu2S棒球棒状由一球状和较长锥柱状的Cu2S纳米线组成，制备出的纳米线形貌均匀，可以应用于光电探测器、锂离子电池和光催化材料等领域。

Method of preparing baseball rod Cuis nanowires by a chemical vapor deposition

The present invention provides a method for preparing baseball stick Cuis nanowires by a chemical vapor deposition, the cuprous oxide and sulfur powder were placed in a chemical vapor deposition device of high temperature area and low temperature area, SiO2/Si substrate stacked flat on the copper source above the closed quartz tube in both ends of the emptying; the quartz tube inlet of protective gas 5 10 minutes, open the tube furnace heating switch, while the low temperature zone is heated to 300 DEG C, high temperature heating to 700 DEG C 800, holding 10 20 minutes, turn off the heating and cooling to room temperature, you can get uniform size Cu2S nanowires on SiO2/Si substrate. The baseball bar Cu2S nanowire prepared by the invention has a multi-level structure. The Cu2S baseball rod is composed of a spherical and long cylindrical columnar Cu2S nanowire. The nanowires prepared are homogeneous in shape, and can be applied to the fields of photodetectors, lithium-ion batteries and photocatalytic materials.

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积法制备棒球棒状硫化亚铜纳米线的方法
本专利技术属于无机材料学领域，涉及一种硫化亚铜，具体来说是一种化学气相沉积法制备棒球棒状硫化亚铜纳米线的方法。
技术介绍
目前，以为Cu2S主的纳米晶体在光伏器件、锂离子电池和光催化材料等许多领域表现出了良好的应用前景。Cu2S为P型窄带隙半导体材料，其带隙宽度约为1.2eV，Cu、S元素作为地球丰度元素且无毒，价格低廉，具有适宜的带隙、高吸收系数和良好的辐射稳定性，是近几十年来的重点研究材料。Tang等(Solution-processedcore-shellnanowiresforefficientphotovoltaiccells[J].Naturenanotechnology，2011，6(9):568-572.)采用溶液离子交换方法在CdS纳米线上外延生长Cu2S层，形成Cu2S作为光吸收层的单根纳米线器件，其光电转换效率达5.4％，超过Si和GaASp-i-n核/壳纳米线。Fu等(ElectrochemicalpropertiesofCu2Swithether-basedelectrolyteinLi-ionbatter本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积法制备棒球棒状硫化亚铜纳米线的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将氧化亚铜和硫粉分别放置在化学气相沉积装置的高温区和低温区位置，将SiO2/Si基底叠放平放在铜源上方，封闭化学气相沉积装置中石英管中的两端；（2）在石英管中通入保护气体5‑10分钟进行排空，打开管式炉加热开关，同时将低温区升温至300℃，高温区升温至700‑800℃，保温10‑20分钟，关闭加热，冷却至室温，即可在SiO2/Si基底上获得尺寸均一的Cu2S纳米线。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积法制备棒球棒状硫化亚铜纳米线的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将氧化亚铜和硫粉分别放置在化学气相沉积装置的高温区和低温区位置，将SiO2/Si基底叠放平放在铜源上方，封闭化学气相沉积装置中石英管中的两端；（2）在石英管中通入保护气体5-10分钟进行排空，打开管式炉加热开...

【专利技术属性】
技术研发人员：房永征，郑新峰，刘玉峰，侯京山，张娜，赵国营，潘彩霞，张若愚，
申请(专利权)人：上海应用技术大学，
类型：发明
国别省市：上海,31