一种新型光电耦合器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种新型光电耦合器件
本技术涉及一种新型光电耦合器件，尤其是可以检测输入端信号强度以及将采集到的输入端信号强度输出的光电耦合器件。
技术介绍
目前市面上销售的光电耦合器件没有对输入端信号检测的功能，导致用户无法得知实际的光电耦合器件输入端信号强度，所以在使用过程中，经常出现损坏的现象，大多数情况下都是输入端信号强度高于光电耦合器件的正常工作范围，导致光电耦合器件损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型的光电耦合器件，在普通光电耦合器件的基础上，增加了输入端信号强度的检测功能，并且增加了将采集到的输入端信号强度输出的功能。克服了现有光电耦合器件没有对输入端信号检测的功能以及没有将采集到的输入端信号强度输出的功能导致光电耦合器在使用过程中经常出现损坏的问题。本技术的技术方案为：一种新型光电耦合器件，该一种新型光电耦合器件在普通光电耦合器件的基础上，通过采用光敏二极管和模/数转换芯片，增加了输入端信号强度的检测功能，并且增加了将采集到的输入端信号强度输出的功能。该光电耦合器件在普通光电耦合器件的基础上增加了光敏二极管D1，型号为2CU5；模/数转换芯片J1，型号为HX711；三极管Q1，型号为S8550;电容C1、C2，型号为瓷片电容；电阻R1，型号为精度5%的碳膜电阻；光敏二极管D1的阴极与新型光电耦合器件的第5引脚、模/数转换芯片J1的DVDD引脚、电容C1、三极管Q1的发射极连接，光敏二极管D1的阳极与电阻R1、模/数转换芯片J1的INPA引脚连接，三级管Q1的基极与模/数转换芯片J1的BASE引脚连接，三级管Q1的集电极与模/数转换芯片J1的AVD...
【技术保护点】
一种新型光电耦合器件，其特征在于：该光电耦合器件在普通光电耦合器件的基础上增加了光敏二极管D1，型号为2CU5；模/数转换芯片J1，型号为HX711；三极管Q1，型号为S8550;电容C1、C2，型号为瓷片电容；电阻R1，型号为精度5%的碳膜电阻；光敏二极管D1的阴极与新型光电耦合器件的第5引脚、模/数转换芯片J1的DVDD引脚、电容C1、三极管Q1的发射极连接，光敏二极管D1的阳极与电阻R1、模/数转换芯片J1的INPA引脚连接，三级管Q1的基极与模/数转换芯片J1的BASE引脚连接，三级管Q1的集电极与模/数转换芯片J1的AVDD引脚连接，电容C2的一端与模/数转换芯片J1的AVDD引脚连接、另一端与模/数转换芯片J1的AGND引脚连接,模/数转换芯片J1的INNA引脚与电容C1、电阻R1、模/数转换芯片J1的AGND引脚、新型光电耦合器件的第6引脚连接，模/数转换芯片J1的DOUT引脚与新型光电耦合器件的第7引脚连接，模/数转换芯片J1的PD_SCK引脚与新型光电耦合器件的第8引脚连接。
【技术特征摘要】
1.一种新型光电耦合器件，其特征在于：该光电耦合器件在普通光电耦合器件的基础上增加了光敏二极管D1，型号为2CU5；模/数转换芯片J1，型号为HX711；三极管Q1，型号为S8550;电容C1、C2，型号为瓷片电容；电阻R1，型号为精度5%的碳膜电阻；光敏二极管D1的阴极与新型光电耦合器件的第5引脚、模/数转换芯片J1的DVDD引脚、电容C1、三极管Q1的发射极连接，光敏二极管D1的阳极与电阻R1、模/数转换芯片J1的INPA引脚连接，三级管Q1的基...
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