适用于TDDB的原位侦测热点方法技术

本发明专利技术提供一种适用于TDDB的原位热点侦测方法，包括：提供待测样品，对所述待测样品的电性参数进行验证；定义应力条件及侦测热点的初始应力条件；对所述待测样品施加应力；观测中间数据，若所述待测样品达到侦测热点的初始应力条件，施加热点侦测电压侦测热点；若侦测到热点，则进行失效分析或继续TDDB测试。本发明专利技术中，实现了原位对失效样品热点的侦测，及时精准的反应了样品的失效位置，为进一步失效分析提供了有力保障。

【技术实现步骤摘要】
适用于TDDB的原位侦测热点方法
本专利技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种适用于TDDB的原位侦测热点方法。
技术介绍
伴随超大规模集成电路(UltraLargeScaleIntegratedcircuit，ULSI)尺寸的不断缩小，半导体器件MOS中的栅极介电层尺寸也不断的缩小，以获得更高的性能，当在器件上加恒定的电压，使器件处于积累状态经过一段时间后，器件中的介电层就会击穿，特别是金属介质层(inter-metal-dielectrics，IMD)会被击穿，这期间经历的时间就是在该条件下的寿命，也就是一般所说的与时间相关电介质击穿(timedependentdielectricbreakdown，TDDB)，在后段制程(Thebackendofline，BEOL)中，所述TDDB是衡量所述金属介质层以及所述半导体器件稳定性的关键因素之一。常规TDDB测试过程如图1所示，待测样品一端加恒定的电压，另一端接地，持续监控流经待测样品的电流，直到待测样品击穿，测试过程中电流随时间的变化关系如图2所示。对于异常的失效时间或异常电流时间变化曲线，需通过失效分析来找到引起异常的根本原本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，包括：提供待测样品，对所述待测样品的电性参数进行验证；定义应力条件及侦测热点的初始应力条件；对所述待测样品施加应力；观测中间数据，若所述待测样品达到侦测热点的初始应力条件，施加热点侦测电压侦测热点；若侦测到热点，则进行失效分析或继续TDDB测试。

【技术特征摘要】
1.一种适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，包括：提供待测样品，对所述待测样品的电性参数进行验证；定义应力条件及侦测热点的初始应力条件；对所述待测样品施加应力；观测中间数据，若所述待测样品达到侦测热点的初始应力条件，施加热点侦测电压侦测热点；若侦测到热点，则进行失效分析或继续TDDB测试。2.如权利要求1所述的适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，对所述待测样品施加的应力包括电压、温度。3.如权利要求2所述的适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，对所述待测样品施加电压时，由高电压降至低电压进行热点侦测。4.如权利要求3所述的适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，选择的最大热点侦测电压对所述待测样品失效时间的影响不超过器件失效时间的1％。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴奇伟，尹彬锋，王炯，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31