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本发明提供一种适用于TDDB的原位热点侦测方法，包括：提供待测样品，对所述待测样品的电性参数进行验证；定义应力条件及侦测热点的初始应力条件；对所述待测样品施加应力；观测中间数据，若所述待测样品达到侦测热点的初始应力条件，施加热点侦测电压侦测...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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