【技术实现步骤摘要】
微机电压力传感器装置
本技术涉及一种具有较低的温度灵敏度的微机电压力传感器,具体涉及一种微机电压力传感器装置。
技术介绍
如已知的,包括至少部分地由半导体材料制成的微机械结构并且具有MEMS(微机电系统)技术的传感器由于其小尺寸、低制造成本和灵活性的有利特性而越来越多地被使用。MEMS传感器通常包括将待检测的物理或机械量转换成电量(例如,与电容的变化相关)的微机电结构和电子读取电路,该电子读取电路通常是ASIC(专用集成电路),其执行电量的处理操作(放大和滤波之一),并且输出电信号,该电信号是模拟信号(例如电压)或数字信号(例如PDM-脉冲密度调制信号)。在被电子接口电路进一步处理的情况下,电信号随后可用于外部电子系统,例如包含传感器的电子设备的微处理器控制电路。在微机电结构中,通过被形成在半导体芯片中或半导体芯片上的并且被悬置在空腔上的薄膜来获得期望的物理或机械量的检测。薄膜可以布置成面向外部环境或者通过流体通道与外部环境连通。例如,2013年6月28日提交的意大利专利申请TO2013A000540描述了一种MEMS装置,其中包括薄膜的装置的灵敏部分与芯片的其余 ...
【技术保护点】
一种微机电压力传感器装置,其特征在于,包括:第一区域;具有第一面和第二面的半导体材料的第二区域;所述第一区域面向并被固定至所述第二区域的第一面;在所述第二区域的第一面和所述第一区域之间延伸的第一气隙;在所述第二区域中延伸的掩埋空腔;在所述第二区域内位于所述掩埋空腔与所述第二区域的第一面或者第二面之间的薄膜;在第二区域内延伸并且横向限定出容纳所述薄膜的灵敏部分、支撑部分和弹簧部分的贯通沟槽,所述弹簧部分将所述灵敏部分连接至所述支撑部分;以及在所述弹簧部分内延伸并将所述掩埋空腔连接至所述第二区域的第一面的通道;在所述掩埋空腔和所述第一气隙之间的一部分被流体地连接至所述装置的外部 ...
【技术特征摘要】
2016.02.25 IT 1020160000197821.一种微机电压力传感器装置,其特征在于,包括:第一区域;具有第一面和第二面的半导体材料的第二区域;所述第一区域面向并被固定至所述第二区域的第一面;在所述第二区域的第一面和所述第一区域之间延伸的第一气隙;在所述第二区域中延伸的掩埋空腔;在所述第二区域内位于所述掩埋空腔与所述第二区域的第一面或者第二面之间的薄膜;在第二区域内延伸并且横向限定出容纳所述薄膜的灵敏部分、支撑部分和弹簧部分的贯通沟槽,所述弹簧部分将所述灵敏部分连接至所述支撑部分;以及在所述弹簧部分内延伸并将所述掩埋空腔连接至所述第二区域的第一面的通道;在所述掩埋空腔和所述第一气隙之间的一部分被流体地连接至所述装置的外部,在所述掩埋空腔和所述第一气隙之间的另一部分与外部隔离。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,包括在所述第二区域的第一面和所述第一区域之间延伸的密封区域,所述密封区域将所述通道与所述第一气隙隔离。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述通道距所述第二区域的第一面一定距离而延伸,并且开口在所述第二区域内在第一面和所述通道之间延伸,所述密封区域具有围绕腔室的闭合形状,所述腔室在所述第一区域和所述第二区域之间延伸并且被连接至所述开口。4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第一区域具有外表面和内表面,所述内表面面向所述第二区域,并且其中至少一个通孔在所述腔室外部的所述第一区域的内表面和外...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·杜奇,S·康蒂,L·巴尔多,F·F·维拉,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:意大利,IT
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