纳米颗粒作为超导体中的钉扎中心的用途制造技术

本发明专利技术属于纳米颗粒、其制备及其作为超导体中的钉扎中心的领域。特别地，本发明专利技术涉及包含Sr、Ba、Y、La、Ti、Zr、Hf、Nb或Ta的氧化物的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒的重均直径为1‑30nm，并且其中在纳米颗粒的表面上存在通式(I)、(II)或(III)的有机化合物或者包含至少两个羧酸基团的有机化合物，其中a为0‑5，b和c彼此独立地为1‑14，n为1‑5，f为0‑5，p和q彼此独立地为1‑14，e和f彼此独立地为0‑12。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纳米颗粒作为超导体中的钉扎中心的用途本专利技术属于纳米颗粒、其制备及其作为超导体中的钉扎中心的领域。超导体，特别是具有至少77K的转变温度的高温超导体的适用性通常取决于它们在高磁场中的临界电流密度。引入具有低导电性的小颗粒，即所谓的钉扎中心，可以提高高磁场中的临界电流密度。由现有技术已知钉扎中心在超导体中的用途。WO2013/139843公开了一种用于由W/O乳液制备钉扎中心的方法及其在高温超导体中的用途。DeRoo等在JournaloftheAmericanChemicalSociety(第136卷，第9650-9657页)中描述了一种用于在微波辅助溶剂热法中制备钉扎中心的方法。WO2008/058849A1公开了用亚乙基甲基丙烯酸酯磷酸酯稳定的ZrO2纳米颗粒。然而，没有公开用于超导体的油墨。US2012/0071680A1公开了表面改性的氧化锆纳米晶体颗粒，其中使用有机膦酸作为改性剂。然而，没有给出这些的特定结构，并且没有公开用于超导体的油墨。防止这些纳米颗粒聚集仍然是一个挑战，特别是在超导体通过化学溶液沉积制备时。该聚集导致钉扎中心的效率降低，并且甚至可能负面地影响超导体的特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
包含Sr、Ba、Y、La、Ti、Zr、Hf、Nb或Ta的氧化物的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒具有1‑30nm的重均直径，且其中通式(I)、(II)或(III)的有机化合物或者包含至少两个羧酸基团的有机化合物位于纳米颗粒的表面上，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.02 EP 15157156.91.包含Sr、Ba、Y、La、Ti、Zr、Hf、Nb或Ta的氧化物的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒具有1-30nm的重均直径，且其中通式(I)、(II)或(III)的有机化合物或者包含至少两个羧酸基团的有机化合物位于纳米颗粒的表面上，其中a为0-5，b和c彼此独立地为1-14，n为1-5，r为0-5，p和q彼此独立地为1-14，和e和f彼此独立地为0-12。2.根据权利要求1的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒包含ZrO2、HfO2或Ta2O5。3.根据权利要求1或2的纳米颗粒，其中包含至少两个羧酸基团的有机化合物是通式(IV)的化合物：其中R1和R2彼此独立地为H、OH或COOH，和m为1-12。4.根据权利要求1-3中任一项的纳米颗粒，其中在纳米颗粒的表面上额外有三烷基磷氧化物或脂肪酸。5.根据权利要求1-4中任一项的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒是结晶的。6.根据权利要求1-5中任一项的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒具有1.2或更小的通过动态光散射测得的粒度分布D90/D50的分散度。7.一种用于制备根据权利要求1-6中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·海格斯伯格，D·施瓦尔，T·M·施陶特，I·范德赖施，K·德科伊科勒莱，J·德罗，T·格伦德林，M·迈尔，M·贝克尔，J·本内维茨，R·芬斯特拉，H·赖克凯尔特，H·泽格，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE