一种提高蓝宝石基F‑P腔底部表面质量的MEMS工艺新方法技术
A new method of MEMS technology to improve the surface quality of sapphire based F cavity at the bottom of the P
The invention belongs to the field of micro electro mechanical system (MEMS), a new method for MEMS process involves Sapphire Wafers, in particular the use of sapphire wafer processing F P cavity structure, a new method of MEMS technology to improve the quality of the bottom surface. The method begins by processing holes on sapphire wafer, and then another high temperature sapphire wafer bonding, by the end of the sapphire wafer with a through hole for thinning and polishing, sapphire based realization of high optical quality F P cavity preparation. The method realizes the original sapphire wafer surface as the F P cavity bottom optical reflector, the surface quality of the F P at the bottom of the chamber is identical with the original surface quality. To effectively improve the sapphire based F P cavity bottom roughness and surface quality, improve the F P cavity bottom surface optical properties, further improve the precision and stability of sapphire based fiber F P sensor.
【技术实现步骤摘要】
一种提高蓝宝石基F-P腔底部表面质量的MEMS工艺新方法(一)
本专利技术属于微机电系统(MEMS)领域，涉及蓝宝石晶片的一种MEMS工艺新方法，尤其涉及使用蓝宝石晶片加工F-P腔结构时，提高底部表面质量的MEMS工艺新方法。(二)
技术介绍
蓝宝石材料具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性，可在接近2000℃高温的恶劣条件下工作，具有巨大的高温应用潜力。目前，蓝宝石材料被广泛应用于LED衬底材料，光学透镜，F-P腔(法布里-珀罗干涉仪)等结构上。基于光纤F-P解调原理的传感器，由于光纤传输具有的不受电磁干扰、电绝缘、耐腐蚀等独特优点，在高温、高压等恶劣环境下具有广泛的应用前景。然而，该类传感器对F-P腔上下表面的表面质量要求较高，表面粗糙度、光洁度、平整度等参数都会对光信号传输产生重大影响。目前使用蓝宝石晶片加工F-P腔结构的方法主要有激光刻蚀、等离子体干法刻蚀等。由于蓝宝石材料的化学稳定性极高，采用等离子体干法刻蚀对蓝宝石晶片进行F-P腔结构加工时，加工效率极低，加工成本高，底部刻蚀面形貌无法保证，难以满足光学解调对F-P腔结构上下反射面的平整度、表面粗糙度...
【技术保护点】
提高蓝宝石基F‑P腔底部表面质量的MEMS工艺新方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在蓝宝石晶片1上加工通孔；步骤二：将具有通孔的蓝宝石晶片1和蓝宝石晶片2进行高温直接键合；步骤三：宝石晶片1的另一表面进行减薄抛光，使其厚度达到F‑P腔腔长要求，并将表面抛光至粗糙度小于0.5nm。
【技术特征摘要】
1.提高蓝宝石基F-P腔底部表面质量的MEMS工艺新方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在蓝宝石晶片1上加工通孔；步骤二：将具有通孔的蓝宝石...
【专利技术属性】
技术研发人员：马志波，苑伟政，张晗，郭雪涛，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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