The invention provides a preparation method of embedded type metal grid transparent conductive film, first coated with a layer of PVP on the substrate, and then use the laser beam on PVP/ substrate etched grid array shape grooves; by magnetron sputtering apparatus in the laser etching of the PVP/ surface of the substrate surface and a layer of metal sputtering the groove; the metal sputtering end the removal of PVP and PVP to the surface of the metal substrate of /PVP/ in ethanol, can be embedded in the metal mesh / substrate. The invention can improve the electrical performance of the film at the same time while ensuring the optical performance of the thin film, and has the advantages of simple operation, no need for compounding metal particle ink and mask, no special requirement for equipment, and low preparation cost.
【技术实现步骤摘要】
一种内嵌金属网格型透明导电薄膜的制备方法
本专利技术涉及激光微纳加工和透明导电薄膜领域,特指一种超短脉冲激光和磁控溅射镀膜仪相互配合制备内嵌金属网格型透明导电薄膜的方法。
技术介绍
透明导电氧化物(TransparentConductiveOxide,简称TCO)薄膜作为液晶显示器、光致发光二极管、太阳能电池等光电设备中不可或缺的重要组成部分,其性能直接决定了相应光电设备的性能。目前,应用最为广泛的ITO也因元素铟储量有限、有毒等缺点而受到制约,亟需寻找可替代的透明导电薄膜。但有望替代ITO的透明导电薄膜(如FTO、AZO、GZO等)也存在综合光电性能有限的问题。因此,研究如何制备具有更佳光电性能的透明导电薄膜具有重要意义。常用的提高薄膜电学性能的方法有复合金属或半导体层、嵌入金属网格等。与复合金属或半导体层相比,嵌入金属网格在保证透光率的同时,可以有效降低薄膜的方块电阻,从而提高薄膜的综合光电性能。目前,常用地制备金属网格的方法有喷墨印刷法、激光选择性烧结法、光刻法、热压印法、纳米压印法等。韩国庆熙大学Kim团队利用喷墨印刷和电水动力喷墨印刷法成功制备了Ag网格/ITO复合电极(参考文献:[1]J.A.Jeong,J.Kim,H.KKim.SolarEnergyMaterialsandSolarCells95(2011)1974-1978;[2]M.-S.Hwang,B.-Y.Jeong,J.Moon,S.-K.Chun,J.Kim.MaterialsScienceandEngineeringB176(2011)1128-1131)。Hong等采用激光选 ...
【技术保护点】
一种内嵌金属网格型透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:清洗基底:对基底进行清洗;PVP层的制备:将清洗过的基底置于匀胶机样品台上,旋涂一层PVP/乙醇混合溶液,并于烘箱中烘干以去除残余的乙醇;刻蚀网格阵列凹槽:接着将得到的PVP/基底放置于激光器的样品台上,利用激光束在PVP/基底上刻蚀网格阵列形状的凹槽;溅射金属层:通过磁控溅射镀膜仪在经激光刻蚀过的PVP/基底表面和凹槽内溅射一层的金属;溅射完将金属/PVP/基底置于乙醇中浸泡2h,去除PVP和PVP表层的金属,最后取出,用去离子水清洗并于氮气流中吹干,即可得到内嵌金属网格/基底。
【技术特征摘要】
1.一种内嵌金属网格型透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:清洗基底:对基底进行清洗;PVP层的制备:将清洗过的基底置于匀胶机样品台上,旋涂一层PVP/乙醇混合溶液,并于烘箱中烘干以去除残余的乙醇;刻蚀网格阵列凹槽:接着将得到的PVP/基底放置于激光器的样品台上,利用激光束在PVP/基底上刻蚀网格阵列形状的凹槽;溅射金属层:通过磁控溅射镀膜仪在经激光刻蚀过的PVP/基底表面和凹槽内溅射一层的金属;溅射完将金属/PVP/基底置于乙醇中浸泡2h,去除PVP和PVP表层的金属,最后取出,用去离子水清洗并于氮气流中吹干,即可得到内嵌金属网格/基底。2.根据权利要求1所述的内嵌金属网格型透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述基底为玻璃、TCO/玻璃或TCO/PET,所述TCO材料包括氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、掺铝氧化锌(AZO)、掺锡氧化铟(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)。3.根据权利要求1所述的内嵌金属网格型透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,基底的清洗具体过程为:将基底分别置于去离子水、丙酮、无水乙醇中超声清洗10min,随后置于氮气流中吹干,所用的丙酮、乙醇均为分析纯。4.根据权利要求1所述的内嵌金属网格型透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,PVP层的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员:李保家,李皇,王轶伦,黄立静,王天宇,任乃飞,
申请(专利权)人:江苏大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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