The present invention relates to a zirconium carbide silicon carbide composite material and preparation method thereof. Multiphase materials by zirconium carbide and silicon carbide, the total volume of zirconium carbide materials 10 55.5%, the raw materials of zirconium carbide powder, silicon carbide, zirconium silicate powder, carbon black in accordance with the mass ratio (0 (3.64): 0 6.72 (2.68): 7.85 (0.59): weighing 1.92) the physical and mechanical methods, raw materials mixed in graphite mold, sintering in the spark plasma sintering furnace. The invention has the advantages of simple process, in Low Temperature One-Step Synthesis of zirconium carbide silicon carbide composite materials two yuan.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化锆-碳化硅复相陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及复相陶瓷及其制备
,具体涉及一种由碳化锆和碳化硅组成的二元复相陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
碳化锆是二元过渡金属碳化物的典型代表,具有高模量、高硬度、高熔点等优点。碳化锆表面氧化后形成高熔点的氧化锆,使得材料能够适用于超高温环境。此外,碳化锆还具有较好的中子透明度和高温稳定性,以及对裂变产物良好的抗腐蚀性能,因而可用作下一代核反应系统中的惰性基质材料。但是,其强度和韧性仍然偏低,抗氧化性能较差,这严重限制了它的应用。陶瓷材料复相化是改善材料性能的有效途径。碳化硅因其优异的力学性能、抗氧化性能和化学稳定性而被用作高温结构材料。此外,碳化硅还具有较低的中子吸收截面和激发活化能以及较高的抗中子辐照性能,因而可应用于核材料领域。因此,可将碳化锆和碳化硅复合,制备碳化锆-碳化硅材料。研究表明,碳化锆-碳化硅材料体系具有较好的力学性能和抗氧化性能,在高温和超高温领域很有应用前景,此外,该复合材料在核材料领域也同样具有很好的应用前景。由于碳化锆和碳化硅都具有较强的共价键,为得到致密的碳化锆-碳化硅复相陶瓷,往往 ...
【技术保护点】
一种碳化锆‑碳化硅复相陶瓷材料的制备方法,其包括如下步骤:将原料碳化锆粉、碳化硅粉、硅化锆粉、炭黑粉按照质量比为(0‑3.64):(0‑6.72):(2.68‑7.85):(0.59‑1.92)称量,将前述原料混匀后,放入石墨模具中,然后置于放电等离子体烧结炉中,烧结得到碳化锆‑碳化硅复相陶瓷材料。
【技术特征摘要】
1.一种碳化锆-碳化硅复相陶瓷材料的制备方法,其包括如下步骤:将原料碳化锆粉、碳化硅粉、硅化锆粉、炭黑粉按照质量比为(0-3.64):(0-6.72):(2.68-7.85):(0.59-1.92)称量,将前述原料混匀后,放入石墨模具中,然后置于放电等离子体烧结炉中,烧结得到碳化锆-碳化硅复相陶瓷材料。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述碳化锆粉的粒度范围为80-400nm;所述碳化硅粉的粒度范围为50-100nm;所述硅化锆粉的粒度小于44μm;...
【专利技术属性】
技术研发人员:余磊,王旭红,王哲飞,刘辉,梁凯,张黎伟,罗铭,
申请(专利权)人:常熟理工学院,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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