一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法技术

本发明专利技术公开了一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法，涉及电场监测技术领域，解决了现有的耦合封装工艺将光纤与光波导耦合封装过程中，光纤与光波导之间无法对准，导致集成光学强电场传感器的插入损耗增大的技术问题。该集成光学强电场传感器的耦合封装方法包括：提供两个形成有V型槽的硅块；在每个硅块的所述V型槽内均粘接裸光纤；对裸光纤和硅块设置有V型槽的一面均进行端面磨斜；将两个硅块分别粘接在波导基片的两端，其中，一个硅块的V型槽内的裸光纤与波导基片上的光波导的一端对准，另一个硅块的V型槽内的裸光纤与光波导的另一端对准。本发明专利技术应用于集成光学强电场传感器的耦合封装。

【技术实现步骤摘要】
一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法
本专利技术涉及电场监测
，尤其涉及一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法。
技术介绍
电场测量在诸多科学研究和工程
都具有十分重要的意义，目前，光学传感与测量技术的迅速发展，为电场测量提供了有效手段，其中，集成光学强电场传感器与传统的电气电子式强电场传感器相比，由于其具有绝缘性能好、反应速度快、安全性高、体积小、重量轻等优点，已经逐渐成为电场测量领域的主流应用。现有的集成光学强电场传感器主要包括晶片单元、光纤和封装结构，具体地，光纤通过耦合封装工艺与晶片单元中的光波导耦合封装在一起，但在使用现有的耦合封装工艺将光纤与光波导耦合封装过程中，光纤与光波导之间无法对准，导致集成光学强电场传感器的插入损耗增大，影响集成光学强电场传感器的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法，用于降低集成光学强电场传感器的插入损耗，提高集成光学强电场传感器的稳定性。为达到上述目的，本专利技术提供一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法，采用如下技术方案：该集成光学强电场传感器的耦合封装方法包括：提供两个形成有V型槽的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法，其特征在于，包括：提供两个形成有V型槽的硅块；在每个所述硅块的所述V型槽内均粘接裸光纤；对所述裸光纤和所述硅块设置有所述V型槽的一面均进行端面磨斜；将两个所述硅块分别粘接在波导基片的两端，其中，一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述波导基片上的光波导的一端对准，另一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述光波导的另一端对准。

【技术特征摘要】
1.一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法，其特征在于，包括：提供两个形成有V型槽的硅块；在每个所述硅块的所述V型槽内均粘接裸光纤；对所述裸光纤和所述硅块设置有所述V型槽的一面均进行端面磨斜；将两个所述硅块分别粘接在波导基片的两端，其中，一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述波导基片上的光波导的一端对准，另一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述光波导的另一端对准。2.根据权利要求1所述的集成光学强电场传感器的耦合封装方法，其特征在于，将两个所述硅块分别粘接在波导基片的两端，其中，一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述波导基片上的光波导的一端对准，另一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述光波导的另一端对准的步骤包括：将两个所述硅块和所述波导基片均安装在调节架上，两个所述硅块分别位于所述波导基片的两端，各所述硅块与所述裸光纤的延伸方向垂直的一面与所述波导基片接触；通过调节架，调节各所述硅块的位置，使一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述波导基片上的光波导的一端对准，另一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述光波导的另一端对准；将各所述硅块与所述波导基片分离，在各所述硅块与所述波导基片接触的一面涂覆胶水，将各所述硅块与所述波导基片粘接。3.根据权利要求2所述的集成光学强电场传感器的耦合封装方法，其特征在于，通过调节架，调节各所述硅块的位置，使一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述波导基片上的光波导的一端对准，另一个所述硅块的所述V...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，蔡汉生，贾磊，胡上茂，曾荣，庄池杰，王博，汪海，施健，冯宾，张义，廖民传，胡泰山，
申请(专利权)人：南方电网科学研究院有限责任公司，中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心，清华大学，
类型：发明
国别省市：广东,44