具有数控衰减的低通集成滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种具有数控衰减的低通集成滤波器。该滤波器包括数控衰减器芯片和低通滤波器，其中数控衰减器芯片位于低通滤波器的上表面；所述数控衰减器芯片包含输入端口、输出端口以及九个数控端，其中输入端口与低通滤波器的第十输入端口连接，输出端口与低通滤波器的第一通孔相连，低通滤波器的后侧面依次间隔设有第一～九控制端口，分别连接数控衰减器芯片九个数控端，第十五输出端口为低通滤波器F的输出端口，第十一～十四接地端口为低通滤波器的接地端口；数控衰减芯片采用MMIC工艺，低通滤波器采用全集总结构，并用LTCC技术实现低通滤波器LC电路与数控衰减芯片的一体化集成。本发明专利技术体积小、可靠性高，可应用于卫星通信、雷达系统。

Low pass integrated filter with numerical control attenuation

The invention discloses a low pass integrated filter with numerical control attenuation. The filter includes a digital attenuator and a low-pass filter, which is located in the upper surface of digital attenuator low-pass filter; the digital attenuator includes input port, output port and nine NC terminal, wherein the input end and a low-pass filter tenth input port, connected to the first through hole output port and a low pass filter the low pass filter in turn after the interval to nine side is provided with a first control port are respectively connected with the digital attenuator nine NC end, Fifteenth output ports for the output port of F low pass filter, eleventh ~ fourteen grounding port low-pass filter grounding port; NC attenuation chip using MMIC technology, low pass filter the complete structure, and the integration of LTCC technology with LC low pass filter circuit and digital control attenuation chip. The invention is small in volume and high in reliability, and can be applied to satellite communication and radar system.

【技术实现步骤摘要】
具有数控衰减的低通集成滤波器技术邻域本专利技术涉及微波
，特别是一种具有数控衰减的低通集成滤波器。
技术介绍
随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的快速发展，电子器件集成化、模组化、高性能、低成本已经成为国内外电子研发行业的焦点，并且对微波器件多种功能集成于一体提出了更加迫切的需求，同时随着电磁波频率段的迅速提高，电磁干扰的频率也越来越高，迫切需要一种抗干扰且可调控衰减的滤波器，这也对衰减器与滤波器的综合性能提出了更高的要求。近年来低温共烧陶瓷(LowTemperatureCo-firedCeramic，简称LTCC)技术的发展为多层射频元器件向小型化、高性能、低成本方向发展提供了强大的动力。低温共烧陶瓷技术是指在温度低于1000℃，可以采用高电导率的金、银、铜等金属作为导电介质，所有的电路被层叠在一起进行一次性烧结，节省了时间，降低了成本，而且电介质不易氧化，不需要电镀保护，大幅度减小了电路的尺寸。采用低温共烧陶瓷可以大幅缩小无源器件的尺寸，同时可以作为一种封装技术将多个元件集成在一起，用于制作新一代移动通信中的表面组装型元器件将显现出巨大的优越性。然而，目前的低通集成滤波器往往存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有数控衰减的低通集成滤波器，其特征在于：包括数控衰减器芯片(D1)和低通滤波器(F)，其中数控衰减器芯片(D1)位于低通滤波器(F)的上表面；所述数控衰减器芯片(D1)包含输入端口、输出端口以及九个数控端，其中输入端口通过输入引线(RFin)与低通滤波器(F)的第十输入端口(P10)连接，输出端口通过输出引线(RFout)与低通滤波器(F)的第一通孔(H1)相连，低通滤波器(F)的后侧面依次间隔设有第一控制端口(P1)、第二控制端口(P2)、第三控制端口(P3)、第四控制端口(P4)、第五控制端口(P5)、第六控制端口(P6)、第七控制端口(P7)、第八控制端口(P8)和第九控制端口(P...

【技术特征摘要】
1.一种具有数控衰减的低通集成滤波器，其特征在于：包括数控衰减器芯片(D1)和低通滤波器(F)，其中数控衰减器芯片(D1)位于低通滤波器(F)的上表面；所述数控衰减器芯片(D1)包含输入端口、输出端口以及九个数控端，其中输入端口通过输入引线(RFin)与低通滤波器(F)的第十输入端口(P10)连接，输出端口通过输出引线(RFout)与低通滤波器(F)的第一通孔(H1)相连，低通滤波器(F)的后侧面依次间隔设有第一控制端口(P1)、第二控制端口(P2)、第三控制端口(P3)、第四控制端口(P4)、第五控制端口(P5)、第六控制端口(P6)、第七控制端口(P7)、第八控制端口(P8)和第九控制端口(P9)，所述第一控制端口(P1)、第二控制端口(P2)、第三控制端口(P3)、第四控制端口(P4)、第五控制端口(P5)、第六控制端口(P6)、第七控制端口(P7)、第八控制端口(P8)和第九控制端口(P9)分别连接数控衰减器芯片(D1)九个数控端，第十五输出端口(P15)为低通滤波器(F)的输出端口，第十一接地端口(P11)、第十二接地端口(P12)、第十三接地端口(P13)、第十四接地端口(P14)为低通滤波器F的接地端口；所述低通滤波器(F)内部包含：第一通孔(H1)、第二通孔(H2)、第三通孔(H3)、第四通孔(H4)、第五通孔(H5)、第六通孔(H6)、第七通孔(H7)、第八通孔(H8)、第九通孔(H9)、第十通孔(H10)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、第八电容(C8)、第九电容(C9)、第十电容(C10)、第一电感(L1)、第二电感(L2)、第三电感(L3)、第四电感(L4)、第五电感(L5)、第六电感(L6)、第一接地屏蔽层(GND1)、第二接地屏蔽层(GND2)；所述第一通孔(H1)一端与表面数控衰减芯片(D1)输出引线(RFout)连接，另一端与第二通孔(H2)连接，第一电容(C1)上极板与第二通孔(H2)上端相连，第一电容(C1)下极板与第三通孔(H3)上端相连，第一电感(L1)一端与第二通孔(H2)下端相连，另一端与通孔(H3)下端相连，第二电容(C2)上极板通过第四通孔(H4)与第三通孔(H3)下端相连，第二电容(C2)下极板为第二接地屏蔽层(GND2)，第三电容(C3)下极板与第三通孔(H3)上端相连，第三电容(C3)上极板与第五通孔(H5)相连，第二电感(L2)一端与第三通孔(H3)下端相连，另一端与第六通孔(H6)下端相连，第六通孔(H6)上端与第五通孔(H5)下端相...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙超，王鑫，戴永胜，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32