一种薄铝层焊盘间铜线键合方法技术

技术编号:16876616 阅读:67 留言:0更新日期:2017-12-23 13:50
本发明专利技术公开了一种薄铝层焊盘间铜线键合方法,该方法包括划片、烘烤、清洗、穿线、装载、输气、焊线键合共计七个工艺步骤,使用99.994%纯铜线,其硬度低,在焊接时不但有利于铜球的形成以及与铝层的接合,更有利于保护IC芯片内部电路免受破坏,采用氢氮混合气以及三路气管对焊线区域进行喷气保护,使得焊线区域充满氢氮混合气,有效保护焊接部位免受氧化破坏。

A copper wire bonding method for thin aluminum layer welding disc

The invention discloses a method of copper wire bonding pad between a thin aluminum, the method including dicing, baking, cleaning, threading, loading, gas, welding wire bonding process for a total of seven steps, using 99.994% pure copper wire, its hardness is low, while welding not only conducive to the formation of copper ball bonding with the aluminum layer, more conducive to the internal protection circuit of IC chip for protection from damage, jet using hydrogen nitrogen mixture and three pipe butt weld line area, the welding line area filled with mixed gas of hydrogen and nitrogen, the effective protection of welding parts from oxidative damage.

【技术实现步骤摘要】
一种薄铝层焊盘间铜线键合方法
本专利技术涉及到半导体封装测试领,尤其涉及一种薄铝层焊盘间铜线键合方法。
技术介绍
随着IC芯片行业的发展,一个IC芯片一般被设计出多种功能用途,主要是通过改变焊盘的连接方式,不同的连接方式有不同的功能,随着焊盘的铝层趋于超薄方向发展,传统的铜线键合方法已经不能满足超薄铝层焊盘件的连接,其主要原因是因为铜线本身硬度大和易氧化,因此,一般都采用金线作为连接的线材,但金线价格高,提高了封装成本。鉴于上述缺陷,实有必要设计一种薄铝层焊盘间铜线键合方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄铝层焊盘间铜线键合方法,使用该方法进行芯片键合,不仅成本低,而且不易出现氧化,产品良率高。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是:一种薄铝层焊盘间铜线键合方法,该方法包括以下步骤:1)划片:先将晶圆通过研磨机减薄到250-300um的厚度,再通过划片机将晶圆切割成单颗晶圆片;2)烘烤:先将步骤1)制得的晶圆片放在装片机上,使用银浆作为黏合物,将单颗晶圆片以矩阵的形式装载到引线框架载体上,再将装有晶圆片的引线框架放入烤箱,并且通入纯氮气,烘烤2.5H后打开烤箱,自然冷却本文档来自技高网...
一种薄铝层焊盘间铜线键合方法

【技术保护点】
一种薄铝层焊盘间铜线键合方法,其特征在于该方法包括以下步骤:1)划片:先将晶圆通过研磨机减薄到250‑300um的厚度,再通过划片机将晶圆切割成单颗晶圆片;2)烘烤:先将步骤1)制得的晶圆片放在装片机上,使用银浆作为黏合物,将单颗晶圆片以矩阵的形式装载到引线框架载体上,再将装有晶圆片的引线框架放入烤箱,并且通入纯氮气,烘烤2.5H后打开烤箱,自然冷却至室温;3)清洗:将步骤2)制得的装有晶圆片的引线框架放入等离子清洗机进行进行自动清洗,从而将设置在晶圆片上薄铝表面的异物和氧化物清除干净,提升键合良率;4)穿线:先将软铜线固定于键合机的线轴上,再将软铜线穿过劈刀,所述的软铜线露出批刀端面的长度为...

【技术特征摘要】
1.一种薄铝层焊盘间铜线键合方法,其特征在于该方法包括以下步骤:1)划片:先将晶圆通过研磨机减薄到250-300um的厚度,再通过划片机将晶圆切割成单颗晶圆片;2)烘烤:先将步骤1)制得的晶圆片放在装片机上,使用银浆作为黏合物,将单颗晶圆片以矩阵的形式装载到引线框架载体上,再将装有晶圆片的引线框架放入烤箱,并且通入纯氮气,烘烤2.5H后打开烤箱,自然冷却至室温;3)清洗:将步骤2)制得的装有晶圆片的引线框架放入等离子清洗机进行进行自动清洗,从而将设置在晶圆片上薄铝表面的异物和氧化物清除干净,提升键合良率;4)穿线:先将软铜线固定于键合机的线轴上,再将软铜线穿过劈刀,所述的软铜线露出批刀端面的长度为120-150um;5)装载:先将加热块固定于键合机焊线区域,再将经步骤3)清洗后的装有晶圆片的引线框架放置在加热块上端,最后将压板框放置在所述引线框架上端,所述的压板框边缘处使用高温胶片与加热块粘接相连;6)输气:先调整打火杆的位置,使得打火杆与劈刀保持10-15um的距离,所述打火杆的尖端与线尾的末端连线与水平方向成30-45°角,使用第一气管、第二气管、第三气管同时喷出氢氮混合气体进行防氧化保护,所述第一气管沿打火杆轴线方向将氢氮混合气体直接吹向批刀,所述第二气管将氢氮混合气体直接吹向批刀,所述第三气管的管口处轴线与线尾的末端连线与水平方向成45°度角,设置的三组气管,有效保...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢兵赵从寿张友位彭勇韩彦召周根强
申请(专利权)人:池州泰美达电子有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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