显示面板、阵列基板及其暗点化方法技术

本发明专利技术提供了一种显示面板、阵列基板及其暗点化方法。其中，阵列基板的暗点化方法包括当有像素电极异常时，切断像素电极和数据线的连接；将薄膜晶体管的漏极与遮光电极的重合区域熔断；将遮光电极直接加载至像素电极。本发明专利技术方便实现暗点化。

Display panel, array substrate and method of scotoma

The present invention provides a display panel, array substrate and method of scotoma. The method includes the scotoma array substrate when the pixel electrode is abnormal, disconnect the pixel electrode and the data line; the thin film transistor drain overlap region fuse pole and shield electrode; the light shielding electrode is directly loaded to the pixel electrode. The invention is convenient to realize the darkening.

【技术实现步骤摘要】
显示面板、阵列基板及其暗点化方法
本专利技术涉显示
，特别涉及一种显示面板、阵列基板及其暗点化方法。
技术介绍
液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。其中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。具体而言，TFT-LCD可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是彩色滤光片、下层的玻璃基板上设置有薄膜晶体管。当电流通过薄膜晶体管时，产生电场变化，电场的变化引起液晶分子偏转，从而来改变光线的偏极性，而实现预期的显示画面。随着TFT-LCD的快速发展，像素设计也日益精进，陆续出现了3T技术、DBS(DataLineBMLess)技术。其中，3T技术具体是三个TFT开关经由同一条栅极线(gateline)控制，在gate打开时，其中两个TFT分别给像素电极(Pixel)的主区(main)与子区(sub)充电，同时第三颗TFT会将一部分已经充入子区的电荷漏至阵列基板的公共电极(Acom)上，拉低子区的电位，即通过保证主区与子区的电位差值来改善大视角。其中，DBS技术具体是在数据线(Dataline)上利用DBScom(DBS电极)的信号线取代传统的BM(BlackMatrix，黑矩阵)，从而达到数据线上遮光的效果。DBS技术的应用，可以减小因BM对组不良等因素引起的减小像素开口率的弊端。因此，DBScom的电压成为DBS技术产品暗态品质的关键。然而，当DBS技术与3T技术结合使用时，一般会将Dataline上的DBScom与第三颗TFT漏电的Acom通过过孔连接到一起，即给DBScom与Acom相同电位。在需要进行液晶面板的暗点化时，将像素电极和阵列基板的公共电极熔接，实现暗点化。但是，受第三颗TFT漏电至Acom的影响，Acom无法保持恒定电位，使得Acom与彩膜基板上的CF电极间压差较大，无法顺利完成像素电极的暗点化。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种阵列基板，旨在方便实现暗点化。本专利技术的另一个目的在于提供一种显示面板，旨在方便实现暗点化。本专利技术的又一个目的在于提供一种阵列基板的暗点化方法，旨在方便实现暗点化。为解决上述问题，本专利技术的优选实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：多条栅极线；多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置，限定出多个像素单元；像素单元，包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管；遮光电极，与所述像素电极之间设置有绝缘层，所述遮光电极设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述遮光电极延伸至所述薄膜晶体管的源极或漏极的上方，并与所述源极或漏极重叠。在本专利技术优选实施例的阵列基板中，所述像素电极包括主像素电极，所述薄膜晶体管包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管，所述遮光电极包括第一连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一源极或第一漏极的上方，并与所述第一源极或第一漏极重叠。在本专利技术优选实施例的阵列基板中，所述像素电极还包括子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管，所述遮光电极还包括第二连接线，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二源极或第二漏极的上方，并与所述第二源极或第二漏极重叠。在本专利技术优选实施例的阵列基板中，所述第一连接线和第二连接线平行设置。在本专利技术优选实施例的阵列基板中，所述阵列基板还包括公共电极线，所述薄膜晶体管还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接。在本专利技术优选实施例的阵列基板中，所述像素电极还包括主像素电极和子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管、与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一栅极与对应的所述栅极线连接，所述第一薄膜晶体管的第一源极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的第一漏极通过过孔与所述主像素电极连接；所述第二薄膜晶体管的第二栅极与对应的所述栅极线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极与所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的第二漏极通过过孔与所述子像素电极连接；所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接；所述遮光电极还包括第一连接线和第二连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一漏极的上方并与所述第一漏极重叠，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二漏极的上方并与所述第二漏极重叠在本专利技术优选实施例的阵列基板中，所述遮光电极由氧化铟锡材料制成。为解决上述问题，本专利技术的优选实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板。在本专利技术优选实施例的显示面板中，所述彩膜基板上设置有公共电极，所述遮光电极和所述公共电极的电位相同。在本专利技术优选实施例的阵列基板中，所述公共电极的电位和所述阵列基板的公共电极线的电位不同。为解决上述问题，本专利技术的优选实施例还提供了一种阵列基板的暗点化方法，所述阵列基板的暗点化方法包括：当有像素电极异常时，切断所述像素电极和数据线的连接；将薄膜晶体管的漏极与遮光电极的重合区域熔断；将所述遮光电极直接加载至所述像素电极。相对于现有技术，本专利技术阵列基板在暗点化过程中，首先切断像素电极和数据线的连接，然后将遮光电极和薄膜晶体管的源极或漏极熔断，该薄膜晶体管与像素电极连接，用于控制像素电极，薄膜晶体管的源极或漏极位于像素电极位置，将遮光电极和源极或漏极熔断，实现遮光电极和像素电极的电性连接，从而将遮光电极的电压直接加载至像素电极。遮光电极的电位可以根据实际需要进行控制，比如控制遮光电极与公共电极的电位相同，从而使得像素电极和公共电极之间的电位差几乎为零，实现暗点化。本专利技术实施例即使公共电极线和公共电极之间的压差较大时，同样可以实现暗点化。同时，遮光电极覆盖到数据线上实现遮光的目的。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例第一晶薄膜体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管三者相互配合的等效电路图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的暗点化方法的流程示意图。【具体实施方式】这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本专利技术的示例性实施例的目的。但是本专利技术可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：多条栅极线；多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置，限定出多个像素单元；像素单元，包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管；遮光电极，与所述像素电极之间设置有绝缘层，所述遮光电极设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述遮光电极延伸至所述薄膜晶体管的源极或漏极的上方，并与所述源极或漏极重叠。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：多条栅极线；多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置，限定出多个像素单元；像素单元，包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管；遮光电极，与所述像素电极之间设置有绝缘层，所述遮光电极设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述遮光电极延伸至所述薄膜晶体管的源极或漏极的上方，并与所述源极或漏极重叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括主像素电极，所述薄膜晶体管包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管，所述遮光电极包括第一连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一源极或第一漏极的上方，并与所述第一源极或第一漏极重叠。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极还包括子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管，所述遮光电极还包括第二连接线，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二源极或第二漏极的上方，并与所述第二源极或第二漏极重叠。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接线和第二连接线平行设置且与所述遮光电极一体成型。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极线，所述薄膜晶体管还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极由氧化铟锡材料制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李倩倩，姚晓慧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44