用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔制造技术

一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明专利技术的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。

【技术实现步骤摘要】
用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔
本专利技术涉及一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔。
技术介绍
本申请是申请号为CN201510766399.9的分案申请。近来人们发现铋基铁电材料如铁酸铋(BiFeO3)、钛酸铋(Bi4Ti3O12)、铝酸铋(BiAlO3)等钙钛矿或赝钙钛矿结构的铁电氧化物具有漏电小、抗疲劳特性强、介电常数大以及对环境友好等特点而备受关注。近年来，人们对铁酸铋(BiFeO3)和钛酸铋(Bi4Ti3O12)的设计、制备、物理化学性质及在生产和生活中的应用有了普遍的认识和理解，2005年Baettig等人从理论上预言了镓酸铋(BiGaO3)同样具有优异的铁电性能，然而目前人们对镓酸铋(BiGaO3)材料的制备技术还极为缺乏，仅有报导采用高温高压固相反应法(压强GPa量级、温度为一千多摄氏度)制备得到镓酸铋(BiGaO3)的块体材料，而这样高温、高压生产条件，显然不适合运用于微电子行业进行器件、集成电路的生产，其块体材料也无法应用于越来越微型化、集成度越来越高的微电子领域，而适用于微电子领域的镓酸铋薄膜的制备工艺尚未有报导。在文献CN103880078A中，我们本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，其特征在于：真空反应腔中包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；所述的BiGaO3薄膜材料在衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应；化学吸附反应在真空反应腔中进行；在真空反应腔中的各分隔空间的数量为4的倍数且不小于8；各分隔空间依次相邻并首尾衔接形成闭合环，托盘和衬底在这些分隔空间形成的气体氛围中运动；用于通入铋前驱体气体和镓前驱体气体的分隔空间的数量之和等于用于通入氧前驱体的分隔空间的数量，用于通入铋前驱体气体、镓前...

【技术特征摘要】
1.一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，其特征在于：真空反应腔中包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；所述的BiGaO3薄膜材料在衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应；化学吸附反应在真空反应腔中进行；在真空反应腔中的各分隔空间的数量为4的倍数且不小于8；各分隔空间依次相邻并首尾衔接形成闭合环，托盘和衬底在这些分隔空间形成的气体氛围中运动；用于通入铋前驱体气体和镓前驱体气体的分隔空间的数量之和等于用于通入氧前驱体的分隔空间的数量，用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体和氧前驱体的分隔空间的数量之和等于用于通入惰性气体的分隔空间的数量；用于通入铋前驱体气体的分隔空间的数量与用于通入镓前驱体气体的分隔空间的数量按照如下原则进行分配：当托盘和衬底在这些分隔空间构成的闭合环中运动一周时，衬底上沉积得到的铋、镓的化学计量比接近于1:1，允许有10%以下的正误差，即铋、镓的化学计量比在1:1~1:1.1的范围内；所述分隔空间的排布规律如下：在任意一个通入三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铋(III)气体或氧前驱体气体或三甲基镓气体的分隔空间的最邻近的一侧或两侧，都还具有一个或...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志亮，尹海宏，宋长青，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32