一种高电阻率CN薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高电阻率CN薄膜的制备方法，包括以下步骤：选用0.1‑1.5mm的衬底材料；对衬底材料进行超声波清洗；在样品基架上放置C靶材；把清洗干净的衬底材料放置于样品基架上；使用氩离子轰击靶材，达到清洗和活化靶材的作用；把清洗后的衬底材料放入真空度抽至4.0×10

【技术实现步骤摘要】
一种高电阻率CN薄膜的制备方法
本专利技术涉及薄膜与器件
，特别涉及一种高电阻率CN薄膜的制备方法。
技术介绍
1989年Liu等首次预言，可进行人工合成自然界并不存在的化合物—氮化碳，其类似于氮硅共价化合物，同时具有较大的聚合能和力学稳定性，至1996年Teter等对氮化碳的五种结构的推测，到如今的大量研究表面，除类石墨相外，其他相氮化碳的体弹性模量理论值均可与金刚石相比拟，被认为是一种新型的超硬材料，具有高弹性、摩擦系数小、抗氧化、耐磨损等优良性能，其化学惰性和稳定性要高于金刚石，而且有较大的禁带宽度，由此引起了许多科学工作者的关注。由于目前所使用的CN薄膜电阻率较低，且硬度不高，其越来越不能满足现有的器件的使用需求，因此现阶段需要一种高电阻率，高硬度的CN薄膜以供使用。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现阶段所使用的CN薄膜电阻率较低，且硬度不高的缺点，而提出的一种高电阻率CN薄膜的制备方法。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种高电阻率CN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、选用0.3-0.5mm的衬底材料；步骤二、对衬底材料进行超声波清本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电阻率CN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、选用0.1‑1.5mm的衬底材料；步骤二、对衬底材料进行超声波清洗；步骤三、把C靶材清洗干净后放置在阴极靶上；步骤四、把清洗干净的衬底材料放置于样品基架上；步骤五、使用氩离子轰击靶材，达到清洗和活化靶材的作用；步骤六、把清洗后的衬底材料放入真空度抽至4.0×10

【技术特征摘要】
1.一种高电阻率CN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、选用0.1-1.5mm的衬底材料；步骤二、对衬底材料进行超声波清洗；步骤三、把C靶材清洗干净后放置在阴极靶上；步骤四、把清洗干净的衬底材料放置于样品基架上；步骤五、使用氩离子轰击靶材，达到清洗和活化靶材的作用；步骤六、把清洗后的衬底材料放入真空度抽至4.0×10-4—6.0×10-4Pa的溅射腔室内，通入氩气进行预溅射起辉，同时再通入氮气。2.根据权利要求1所述的一种高电阻率CN薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底材料为超白高透玻璃、硅片或金属元件，选用超白高透玻璃时其厚度为0.3-0.5mm，选用硅片时其厚度为0.1-0.4mm，选用金属元件时...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，沈洪雪，金克武，甘治平，李刚，姚婷婷，杨勇，
申请(专利权)人：蚌埠玻璃工业设计研究院，
类型：发明
国别省市：安徽,34