一种表征二维纳米材料的方法技术
A method for characterization of two-dimensional nanomaterials
The invention relates to a method for characterization of two dimensional nano materials, the method comprises: two dimensional nano material sample is placed in a vacuum environment; using electron beam irradiation of the two-dimensional nano material samples, so that the electron beam from the two-dimensional nano material sample transmission form transmission electron beam and electron beam and diffraction. Imaging in an imaging device; obtaining diffraction and electron beam transmission electron beam angle and beam wavelength; and according to the formula DSIn = lambda theta to calculate the two-dimensional nano material sample lattice period D.
【技术实现步骤摘要】
一种表征二维纳米材料的方法
本专利技术属于微纳米
，尤其涉及一种透射型低能量电子显微系统以及采用该系统表征二维纳米材料的方法。
技术介绍
纳米材料提供了制造新型逻辑器件和提高器件集成度的可能，在新型的能源、探测、柔性电子、生物医学等方面也有很多优异特性和广泛的应用前景。实现纳米材料最终应用的关键步骤是大面积的均匀制备。目前石墨烯和二硫化钼等二维纳米材料都已经可以采用化学气相沉积的方法实现大面积制备。例如，石墨烯单晶的制备达到厘米级，二硫化钼单晶可以达到亚毫米的尺寸，二硒化钨和二硒化钼也已经百微米的尺寸。因此，发展对于得到的大面积样品的结构和性能方便快捷的表征方法和仪器也必将能够促进材料制备及其应用，是当前材料研究的重要需求。材料结构和性能有着各种不同的表征方法及相应设备，由于电子波长与材料的原子间距相近，能量和运动便于控制，同时由于电子主要受原子核的散射，其衍射角小、衍射斑点强、辐射深度和作用试样的体积比较小，电子显微成为表征纳米材料包括二维材料的结构和形貌最合适的手段之一。透射电子显微术(transmittedelectronmicroscopy，TEM)...
【技术保护点】
一种表征二维纳米材料的方法，该方法包括：将二维纳米材料样品设置于一真空环境中；采用电子束照射该二维纳米材料样品，从而使所述电子束从所述二维纳米材料样品透射之后形成透射电子束与衍射电子束，并在一成像装置上成像；获取衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ以及电子束的波长λ；以及根据公式dsinθ＝λ计算所述二维纳米材料样品的点阵周期d。
【技术特征摘要】
1.一种表征二维纳米材料的方法，该方法包括：将二维纳米材料样品设置于一真空环境中；采用电子束照射该二维纳米材料样品，从而使所述电子束从所述二维纳米材料样品透射之后形成透射电子束与衍射电子束，并在一成像装置上成像；获取衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ以及电子束的波长λ；以及根据公式dsinθ＝λ计算所述二维纳米材料样品的点阵周期d。2.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述将二维纳米材料样品设置于一真空环境中的方法为：将该二维纳米材料样品设置于一碳纳米管拉膜上；以及将该二维纳米材料样品和碳纳米管拉膜一起固定于一样品支架上。3.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述采用电子束照射该二维纳米材料样品的方法为：采用大于该二维纳米材料样品的电子束照射整个样品表面。4.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述采用电子束照射该二维纳米材料样品的方法为：采用小于该二维纳米材料样品的电子束照射样品的局部表面或扫描整个表面。5.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述在成像装置上...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳鹏，赵伟，林晓阳，周段亮，张春海，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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