一种制备Si‑Cu2O异质结纳米线阵列的方法技术
A preparation of Si Cu2O heterojunction nanowire array method
The invention discloses a preparation method of Si Cu2O heterojunction nanowire arrays, the hydrofluoric acid solution of Si nanowire arrays in two valent copper ions in aqueous solution, adjusting the pH value of the solution, Si Cu2O heterojunction nanowire arrays. The present invention nanowires on the surface of Si to form Si H bond through HF processing, reducing the use of Si nanowires Si H bond, under appropriate conditions, the Cu in aqueous solution
【技术实现步骤摘要】
一种制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法
本专利技术涉及半导体纳米材料制备
更具体地，涉及一种制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法。
技术介绍
Si半导体具有成本低、吸收光谱范围广、光学与电学性能易调控等优点，被广泛应用于光伏、光电催化、电子电路等领域。然而，在光电催化领域，Si很容易在表面形成氧化层而阻碍电荷的传输，同时Si容易被腐蚀导致其稳定性较差。此外，Si自身的价带位置高于析氧反应的能级，导致需要外加电压才能够实现水的分解反应。采用构建Si-半导体异质结的方法，可以有效的解决这些问题。在电极结构方面，一维Si纳米材料有利于光生载流子的传输，同时可以增大对光的吸收。因此，构建一维Si/半导体异质结具有重要的研究意义。目前，制备异质结的方法有原子层沉积、溶胶凝胶、化学气相沉积、磁控溅射等等。然而，这些方法存在制备工艺复杂、能耗高(高温)、设备昂贵等不足。而且，这些方法无法避免在Si和半导体界面处生成氧化硅层，导致电荷传输性能下降。因此，需要提供一种简便、低成本并且Si和Cu2O之间处无氧化层的制备一维Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法。专利技...
【技术保护点】
一种Si‑Cu2O异质结纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将经氢氟酸溶液处理的Si纳米线阵列置于二价铜离子水溶液中，调节溶液的pH值，得到Si‑Cu2O异质结纳米线阵列。
【技术特征摘要】
1.一种Si-Cu2O异质结纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将经氢氟酸溶液处理的Si纳米线阵列置于二价铜离子水溶液中，调节溶液的pH值，得到Si-Cu2O异质结纳米线阵列。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的浓度为1～40wt％。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二价铜离子水溶液为硫酸铜、硝酸铜或氯化铜的水溶液。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二价铜离子水溶液的浓度为10～200mmol/L。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述调节pH值所用的试剂为碱液。6.根据权利要求1或5任一所述的制备方法，其特征在于，所述调节pH值所用的试剂为氢氧化钠水溶液。7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：佘广为，张韶阳，师文生，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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