一种温度系数可调的张驰振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种温度系数可调的张驰振荡器，包括基准电压产生电路BGP、稳压电源电路LDO和振荡器电路OSC，所述基准电压产生电路BGP连接稳压电源电路LDO，稳压电源电路LDO连接振荡器电路，基准电压产生电路BGP包括电压比较器A0、电阻器R1和晶体管V1，振荡器电路OSC包括放大器A1、晶体管V2‑V6、比较器CM1和CM2、电流源I1‑I3、电容C1和C2、与非门U1和U2，本发明专利技术在原来的基础上可对每一个芯片的温度系数进行单独修调，解决了张弛振荡器在应用于高频设计时，延时在频率中的占比越来越大，并且延时受温度及工艺的影响，导致片与片之间的温度系数相差较大的问题，从而提高芯片的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种温度系数可调的张驰振荡器
本专利技术涉及一种张驰振荡器，具体是一种温度系数可调的张驰振荡器。
技术介绍
在MCU中振荡器起着非常重要的作用，常用来做系统时钟计时等。虽然晶体振荡器具有较高的频率稳定度，即较小的电压系数及温度系数。但其或增加PAD个数和外围器件不方便集成。张弛振荡可实现全内部集成，其实现公式有两种：这两个公式分别对应不同的解决方案。第一种是产生一个基准电流和一个基准电压，基准电流对电容充电，当电容电压到达VREF时，这段时间为半个周期，由于充电电流及参考电压具有较高的温度系数和电压系数故可以实现较高的精度。第二种电流的产生方式为基准电压，从公式中可看出频率不随电压变化而变化，电阻的温度系数通常通过正温度系数和负温度系数的电阻按一定的比例可以组成一个温度系数较小的电阻，从而实现较低的温度系数，这种方法的优点是不一定需要一个高精度的VREF。这两种方案都没有考虑延时及工艺随温度变化对频率的影响，随着频率越来越高，电路延时占比越来越大，并且电路中的比较器的工作状态及其他电路都会受电压、温度及工艺的影响，从而影响频率的精度。本专利在基本张驰振荡器的结构上提出了一种新的温度修本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度系数可调的张驰振荡器，包括基准电压产生电路BGP、稳压电源电路LDO和振荡器电路OSC，其特征在于，所述基准电压产生电路BGP连接稳压电源电路LDO，稳压电源电路LDO连接振荡器电路，LDO电路包括电压比较器A0、电阻串R1和晶体管V1，振荡器电路OSC包括放大器A1、比较器CM1和CM2，电流源I1,I2和I3,电阻R2,晶体管V1,V2,V3,V4,V5,V6，电容C1和C2，与非门U1和U2，电压放大器A0的正向端连接基准电压产生电路BGP的输出端，电压放大器A0的反向端连接电阻串R1，电压比较器A0的输出端连接晶体管V1的栅极，晶体管V1的源极连接电源，晶体管V1的漏极连接电阻...

【技术特征摘要】
1.一种温度系数可调的张驰振荡器，包括基准电压产生电路BGP、稳压电源电路LDO和振荡器电路OSC，其特征在于，所述基准电压产生电路BGP连接稳压电源电路LDO，稳压电源电路LDO连接振荡器电路，LDO电路包括电压比较器A0、电阻串R1和晶体管V1，振荡器电路OSC包括放大器A1、比较器CM1和CM2，电流源I1,I2和I3,电阻R2,晶体管V1,V2,V3,V4,V5,V6，电容C1和C2，与非门U1和U2，电压放大器A0的正向端连接基准电压产生电路BGP的输出端，电压放大器A0的反向端连接电阻串R1，电压比较器A0的输出端连接晶体管V1的栅极，晶体管V1的源极连接电源，晶体管V1的漏极连接电阻串R1并输出电压VLDO，电阻串R1还分别输出信号VREF1和VREF2，信号VREF1连接放大器A1的正向端，放大器A1的反向端连接电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泽州，谷洪波，杨必文，丁伟，李双飞，
申请(专利权)人：深圳市博巨兴实业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44