消除比较器失调电压的振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种消除比较器失调电压的振荡器，包括：包括：两个电容和一个比较器和一个数字模块，通过开关控制电容的充放电，第一电流源为两个电容的充电电流源，第一电流源为第二电流路径和第三电流路的镜像电流，比较电压由第二电流路径的第一MOS晶体管的栅源电压确定，比较电压通过开关分别在前后周期中连接到比较器的正反相输入端；由第一MOS晶体管和第三电流路的第二MOS晶体管的栅源电压差除以第三电流路的第一电阻的值确定第三电流源的大小进而确定第一电流源的电流大小。本发明专利技术的比较电压直接采用电流源路径中的MOS晶体管的栅源电压，能够使功耗和面积都得到降低。

【技术实现步骤摘要】
消除比较器失调电压的振荡器
本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种消除比较器失调电压的振荡器。
技术介绍
片上低功耗低频RC振荡器在智能卡(smartcard),微控制器(MCU)等产品中用于LCD驱动，待机时钟，上电计数等。典型低功耗低频振荡器频率为32KHz，功耗为1μA以下。低功耗低频振荡器不依赖外部信号输入，模拟基准都为IP(知识产权核)内部产生，往往因为使用了兆欧姆的电阻而面积都很大。极少数应用要求低功耗振荡器具有较高的稳定度，需要对振荡器中比较器的失调电压(OFFSET)进行周期上的消除,降低周期的不确定性。如图1所示，是现有消除比较器失调电压的振荡器的电路图，图1所示的振荡器为应用于低功耗低频的振荡器，振荡器主要包括：由电容C101和C102，电阻R102，6个开关S101、S102、S103、S104、S105和S106，一个比较器(comparator)101以及数字模块(Digital)102组成的振荡产生部分。PMOS管P103为电容C101提供充电电流，PMOS管P104为电容C102提供充电电流，PMOS管P103和P104还通过开关S102和S1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除比较器失调电压的振荡器，其特征在于，包括：第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端通过第一开关接第一电流源、所述第一电容的第一端和第二端通过第二开关连接；所述第二电容的第一端通过第三开关接第一电流源、所述第二电容的第一端和第二端通过第四开关连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端都连接到公共端；比较器，所述比较器的第一输入端通过第六开关连接所述第二电容的第一端，所述比较器的第二输入端通过第五开关连接所述第一电容的第一端；所述比较器的第一输入端通过第八开关连接比较电压，所述比较器的第二输入端通过第七开关连接比较电压；第二电流路径和第三电流路，所述第二电流路径包括第二电流源和第一M...

【技术特征摘要】
1.一种消除比较器失调电压的振荡器，其特征在于，包括：第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端通过第一开关接第一电流源、所述第一电容的第一端和第二端通过第二开关连接；所述第二电容的第一端通过第三开关接第一电流源、所述第二电容的第一端和第二端通过第四开关连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端都连接到公共端；比较器，所述比较器的第一输入端通过第六开关连接所述第二电容的第一端，所述比较器的第二输入端通过第五开关连接所述第一电容的第一端；所述比较器的第一输入端通过第八开关连接比较电压，所述比较器的第二输入端通过第七开关连接比较电压；第二电流路径和第三电流路，所述第二电流路径包括第二电流源和第一MOS晶体管，所述第三电流路径包括第三电流源和第二MOS晶体管；所述第一电流源、所述第二电流源和所述第三电流源互为镜像电流；所述第一MOS晶体管的漏极、栅极和所述第二MOS晶体管的栅极连接在一起，所述第一MOS晶体管的源极连接到所述公共端，所述第二MOS晶体管的源极通过第一电阻连接到所述公共端，所述第一MOS晶体管的漏极连接所述第二电流源，所述第二MOS晶体管的漏极连接所述第三电流源，由所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的栅源电压差除以所述第一电阻的值确定所述第三电流源的大小；所述第一MOS晶体管的栅极作为所述比较电压的输出端，所述比较电压由所述第一MOS晶体管的栅源电压确定；所述比较器的输出端连接到数字模块，所述数字模块输出时钟输出信号、第一控制信号和第二控制信号；所述第一控制信号到所述第一开关、所述第四开关、所述第五开关和所述第八开关，所述第二控制信号到所述第二开关、所述第三开关、所述第六开关和所述第七开关，所述第一控制信号和所述第二控制信号为互为反相的时钟信号。2.如权利要求1所述的消除比较器失调电压的振荡器...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁志勇，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31