半导体装置、功率转换装置以及车辆制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置、功率转换装置以及车辆。提供能够兼顾高速动作与电压变动抑制的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1晶体管，具备第1电极、第2电极以及第1控制电极，进行开关动作；第2晶体管，具有与第2电极电连接的第3电极、第4电极以及第2控制电极，进行模拟动作；以及第3晶体管，具有与第4电极电连接的第5电极、第6电极以及第3控制电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、功率转换装置以及车辆本申请以日本专利申请2016-112793(申请日：2016年6月6日)为基础，享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置、功率转换装置以及车辆。
技术介绍
使用了MOSFFT(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：场效应晶体管)、IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极晶体管)等半导体装置的功率转换装置的开发正在盛行。在上述功率转换装置中，有时在半导体装置的断开时或者接通时产生浪涌等电压变动。当产生较大的电压变动时，会产生半导体装置的破坏而成为问题。因而，要求抑制电压变动。但是，电压变动的抑制与半导体装置的高速动作有可能相反。即，由于高速动作使开关损耗降低，因此浪涌等电压变动抑制与开关损耗抑制一般相反。
技术实现思路
本专利技术要解决的课题在于，提供能够兼顾高速动作与电压变动抑制的半导体装置、功率转换装置以及车辆。实施方式的半导体装置具备：第1晶体管，具有第1电极、第2电极以及第1控制电极，进行开关动作；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：第1晶体管，具备第1电极、第2电极以及第1控制电极，进行开关动作；第2晶体管，具有与上述第2电极电连接的第3电极、第4电极以及第2控制电极，进行模拟动作；以及第3晶体管，具有与上述第4电极电连接的第5电极、第6电极以及第3控制电极。

【技术特征摘要】
2016.06.06 JP 2016-1127931.一种半导体装置，具备：第1晶体管，具备第1电极、第2电极以及第1控制电极，进行开关动作；第2晶体管，具有与上述第2电极电连接的第3电极、第4电极以及第2控制电极，进行模拟动作；以及第3晶体管，具有与上述第4电极电连接的第5电极、第6电极以及第3控制电极。2.一种半导体装置，具备：第1晶体管，具有第1电极、第2电极以及第1控制电极；第2晶体管，具有与上述第2电极电连接的第3电极、第4电极以及第2控制电极；第3晶体管，具有与上述第4电极电连接的第5电极、第6电极以及第3控制电极；交流信号源，与上述第1控制电极电连接；以及可变电源，与上述第2控制电极电连接。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，上述第2控制电极的电压为上述第1控制电极的高电平电压以下。4.如权利要求1至3任一项所述的半导体装置，其中，还具备电连接于上述第1电极与上述第2控制电极之间的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田健太郎，高尾和人，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP