一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的发光器件，所述发光器件包括第一电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和第二电极层，所述电子传输层包括具有配位能力的电子传输主体材料和掺杂在所述电子传输主体材料中的惰性金属；所述电子传输主体材料为具有配位性能的电子传输材料，能与惰性金属阳离子发生配位反应，促进惰性金属失去电子的过程，从而降低惰性金属的功函数，使惰性金属也能实现与活泼金属类似的n型掺杂效果，降低电子传输材料的LUMO能级，进而促进电子的注入，从而显著降低器件的驱动电压，提高器件的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本专利技术涉及有机电致发光器件
，特别是一种含有配位能力材料的电子传输层中掺杂惰性金属实现n型掺杂效果的有机电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)是一种多层有机薄膜结构、可通过电致发光的器件。它拥有多种超越LCD(液晶显示器)的显示特性和品质，凭借其低能耗和柔韧性等优良特性，具有很好的应用前景，将成为下一代主流平板显示器。在OLED中，通常使用的电子传输材料(ETM)的LUMO能级在-3.0eV附近，而金属阴极的功函数一般大于4.0eV，因此当电子直接从金属阴极注入到电子传输层时，存在较大的能隙阻碍电子的注入，使得器件驱动电压较高，同时使得到达发光层中的电子空穴不平衡，降低器件效率和缩短器件寿命。因此可以使用n型掺杂的方法提高电子传输材料的传输特性，降低电子传输材料的LUMO能级，进而促进电子从电极的注入。n型掺杂的机理是掺杂剂将电子转移到ETM的LUMO能级上，从而实现电荷转移，提高自由载流子浓度。电子传输材料的LUMO能级在-3.0eV左右，这就要求掺杂剂功函数必须在3.0eV以下，才能高效的将电子转移到ETM的LUMO能级上。但是功函数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括基板(01)，以及依次形成在所述基板上的发光器件，所述发光器件包括第一电极层(02)、发光层(06)、电子传输层(08)和第二电极层(03)；其特征在于，所述电子传输层(08)包括电子传输主体材料和掺杂在所述电子传输主体材料中的惰性金属；所述电子传输主体材料为具有配位性能的电子传输材料。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包括基板(01)，以及依次形成在所述基板上的发光器件，所述发光器件包括第一电极层(02)、发光层(06)、电子传输层(08)和第二电极层(03)；其特征在于，所述电子传输层(08)包括电子传输主体材料和掺杂在所述电子传输主体材料中的惰性金属；所述电子传输主体材料为具有配位性能的电子传输材料。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属的掺杂比例为1vol％-99vol％。3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属的掺杂比例为5vol％-30vol％。4.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属为在空气中稳定且功函数高于4.0eV的金属。5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属为钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、锝(Tc)、钌(Ru)、铑(Rh)、铅(Pd)、银(Ag)、镉(Cd)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、金(Au)、铂(Pt)、汞(Hg)中的一种或其中几种的混合物。6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：段炼，宾正杨，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11